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[参考译文] TIDA-010242:LM74800、LM5060

Guru**** 1689980 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1395872/tida-010242-lm74800-lm5060

器件型号:TIDA-010242

工具与软件:

您好!

根据 MIL-1275标准的第5.3.1.1节中的规定、在运行"稳态运行、运行电压范围"测试时、我们的设计遇到问题。 以下是我们的设置和面临的问题的详细信息:

设计详细信息:

  • 我们使用经过修改的参考设计、其中唯一的变化是更高电流的 MOSFET 来满足我们的15A 要求。
  • 我们使用的是 IXFK220N17T2、而不是原始 MOSFET (IXTT88N30P 和 SQJQ466E-T1_GE3)

发现的问题:
在测试过程中、我们注意到以下部件损坏:

  • 第一个钳位电路中连接到 H 栅极(IXFK220N17T2)的 MOSFET 跨所有引脚短路。
  • 第一级输出侧的47µF 电解电容器膨胀。
  • 第一级钳位电路中的 IC LM74800QDRRRQ1受损。
  • 第二级钳位电路中的 IC LM5060Q1MMX/NOPB 也已损坏。

测试结果:

  • 在另一个单元上使用200mA 负载时测试通过。
  • 然而、测试在电流较高(~3A 和9A)时失败。

对于诊断和解决这些问题的任何见解或建议、我们将不胜感激。 谢谢!

下面给出了 Vin 处施加的电压曲线。 测试从28V 开始并切换到100V (SLEW 100mS)、然后遵循以下曲线

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Abilash、

    我非常乐意帮助您解决我们的设计中出现的这个问题。 由于我们在自己的测试中没有看到任何类似的情况、因此我们必须进行一些远程故障排除。 如果这些问题中有任何一个似乎较低级、我表示歉意、但我想确保所有的框都已勾选。

    您曾提到新 FET 最高可达9A (要求15A)。 您是否执行了 SOA 计算以确保它可以在这里正确运行?

    您是否 碰巧在测试期间捕获了输入电压、输出电压或任何内部电压的波形?

    您是否能够共享您的布局以便我们确保具有极少的寄生效应?  

    此致、

    Bart Basile

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    尊敬的 Bart Basile:

    在测试期间、我们无法捕获任何波形。

    SOA:对于50mS 脉冲、计算出的 ID 约为12A。 我们计划使用具有更高 SOA 的 MOSFET。

    我们在实验室中测试了类似的测试案例,负载电流为2A ,还捕获了一些波形。

    (附加的是 第一级输出(黄色)的波形、88V 输入电压)

    此致、

    Abilash  

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    Abilash、

    您认为新的 FET 是"更好的 SOA"的标准是什么? 在比较两款器件的 SOA 图时、该器件 在长持续时间脉冲下似乎没有更好的性能。 我不希望它在此应用中以9A 或12A 的电流执行。