[参考译文] TIDA-010236：图腾柱 PFC 解决方案

尊敬的 Conor：

我们的专家不在办公室,我们将在本周内回复您。

谢谢

简森

您好、Conor

对于 Q1： TI 目前没有 TTPL PFC 支持400VAC 输入。

对于 Q2：   由于拓扑和软件算法仍然相同、仍可以将 TIDA-010236和 TIDA-010203与 SiC 配合使用来支持高电压输入。

对于效率和开关频率、SiC 和 GaN 在此应用中应相似。

此致

海利

嗨、 Hely、

Unknown 说：

对于 Q1： TI 目前没有 TTPL PFC 支持400VAC 输入。

TI 是否计划发布与400VAC 兼容的 TTPL PFC 参考设计？ 对于 GaN FET、我认为随着制造工艺的发展(高电压电阻)、这是可能的。

此外、为何由于 TTPL 和 SiC 之间的兼容性问题而未发布用于 SiC 的 TTPL PFC？ 兼容性是指高效率、高速开关等

此外、图腾柱 PFC 适用于中低功率到高功率电源(几百瓦到几千瓦)、这类电源中 GaN 的特性通常更为重要。 这是否也是很少选择 SiC 进行设计的一个因素？

[报价 userid="493315" url="~/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1428232/tida-010236-totem-pole-pfc-solution/5474924 #5474924"]对于 Q2： 您仍可以使用  带有 SiC 的 TIDA-010236和 TIDA-010203来支持高电压输入、因为拓扑和软件算法仍然相同。

在考虑基于 TIDA-010236或 TIDA-010203的 SiC FET 时、是否有任何预防措施？

例如、我知道在使用 SiC FET 时、以下各项与 GaN FET 不同。

- SiC FET 通常针对几百 kHz 的开关频率进行优化,这可能导致比 GaN 更大的开关损耗。

-SiC FET 运行在更高的栅极电压(通常是10V 到20V )。 此外、由于栅极电容较大、需要更改不同的栅极驱动器或驱动器设计。

- SiC FET 可能比 GaN 产生更多的热量,因此可能需要采取适当的散热措施。

谢谢！

Conor

您好、Conor

请在下面核对我的答案：

TI 是否计划发布与400VAC 兼容的 TTPL PFC 参考设计？ 对于 GaN FET、我认为随着制造工艺的发展(高电压电阻)、这是可能的。 "不,我不是这个意思。"

此外、为何由于 TTPL 和 SiC 之间的兼容性问题而未发布用于 SiC 的 TTPL PFC？ 兼容性是指高效率、高速开关等 HELY：GaN 足以满足220VAC 输入下的 TTPL PFC、在此电压电平下、SiC 成本更高。

此外、图腾柱 PFC 适用于中低功率到高功率电源(几百瓦到几千瓦)、这类电源中 GaN 的特性通常更为重要。 这是否也是很少选择 SiC 进行设计的一个因素？ HELY：是的、我认为您是对的、再也不要使用 GaN、因为它具有出色的功率级别和低功率损耗。

在考虑基于 TIDA-010236或 TIDA-010203的 SiC FET 时、是否有任何预防措施？

HELY：TI GaN 具有内置的栅极驱动器、需要为 SiC 选择栅极驱动。 由于输入和输出电压较高、因此还需要重新计算电压/电流检测电路。  

此致

海利

嗨、Hely、

我将主要考虑使用 TIDA-010236和 TIDA-010203。 参考设计页面未提及 C2000软件。 您能否为我提供在考虑图腾柱 PFC 时有用的源代码？ 如果您有用于验证 TIDA-010236和 TIDA-010203操作的软件、情况会更好。

谢谢！

Conor

您好、Conor

我们有软件、您能联系我们的当地销售人员吗？

此致

海利