工具与软件:
我指的是用于我的28V 系统的 TIDA-010242参考设计。 我的系统需要500W 的功率。 根据我对干扰限制信息的理解、最小电压为12V (1s)。
我是否需要确保系统能够处理500/12 = 42A?
另外、根据 TIDA-010242设计、为了实现目标、我应该考虑哪些参数?
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我指的是用于我的28V 系统的 TIDA-010242参考设计。 我的系统需要500W 的功率。 根据我对干扰限制信息的理解、最小电压为12V (1s)。
我是否需要确保系统能够处理500/12 = 42A?
另外、根据 TIDA-010242设计、为了实现目标、我应该考虑哪些参数?
Chin、
您可以更正启动干扰是12V 持续1秒、16V 持续30秒、然后20V 持续 2秒。
浪涌保护设计在该干扰期间需要通过的电流量完全取决于下游功率级和系统。 在不知道更多的情况下、我无法大致评价在12V 电压下工作时需要多大的电流。 如果您在查看最坏的情况、即该情况是独立于输入电压的500W 静态负载、那么是的、您应该会在干扰期间预计通过42A;但我不能保证情况会如此。
关于为标称运行设计更高的功率级别、您可以首先参考设计指南的第2.2.6节。 此视频介绍了选择合适的 MOSFET 来处理浪涌电流的过程。 您需要使用 MOSFET 数据表来确定其 SOA 并确保它们在浪涌事件期间能够正常运行。 该线程上有一个指向 SOA 计算器的链接、您可能很有用: https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1273198/tida-010242-tida-010242?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TIDA-010242%252520excel#
尊敬的@ Bart Basile
感谢您的建议。
我将使用 SOA 计算器、并有一些问题。
首先、我选择这款 MOSFET 用于我的设计。 如需了解更多详情、请 访问:https://www.vishay.com/docs/63064/sijh800e.pdf
检查 SOA 时、 输入值是否正确?


第二、我的问题是有关 ROCA 的。
是 RthJC、还是需要手动计算?

最后、我的结果如下。
但我不知道为了实现设计规格需要实施多少个并联 MOSFET。 
谢谢
BR
Chin、
一些有关 SOA 图读数的注意事项。 您应关注50V、而不是80V、因为这是设计中 FET 的钳位电压。 不过、即使在80V 时、0.1s 处的电流也应约为4A、0.001s 处的电流接近55A。 如果使用50V 作为此读数的标记、则分别为7.5A 和88A。 这些数字将使计算出的 SOA 在25°C 时仅约为4.4A。
关于 ROCA、它是 RthCA、不是 RthJC。 虽然 SEMI 也通过 RthJA 相关、但它们并不与现代封装直接相关。 从功能上讲、我们寻找 Tc、这是一个数据表参数。 如果数据表中给定温度的值适合您、您可以将其替换为计算 SOA (TC)的公式。 如果您想了解更多信息、请访问我们的网站 https://www.ti.com/lit/an/spra953d/spra953d.pdf、其中有关于半导体热性能的较旧但仍然相关的应用手册
最后、我没有关于在该应用中使用并联 MOSFET 的任何信息。 其中多个并联可能获得所需的性能、但由于各个 器件的差异、我无法评论驱动器正确控制它的能力。