• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 233 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] PMP10195：LM5020MM-2

admin
Guru**** 2482225 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1433649/pmp10195-lm5020mm-2

器件型号：PMP10195

工具与软件：

大家好、团队成员：

我正在为以下应用寻找 PWM 控制器、

  • 输入电压范围为50至1700V DC
  • 输出电压：12V、350 mA
  • 拓扑：反激式、隔离式(无需光耦合器、推荐辅助绕组)
  • 50V 时的 UVLO 选择
  • 低频运行(约20kHz)可避免泄漏的边沿消隐时间。
  • 控制器寿命至少10年

有任何建议吗？

谢谢

Ramakrishna

  • 0
    TI__Guru**** 2482225 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ramakrishna：

    在理论上、可以通过两个 MOSFET 串联来使用级联拓扑、但我相信对于这种低输出功率、栅极驱动电路将产生几乎很大的损耗、因此我建议使用单个 SiC FET。 我们有一款特定的控制器 UCC28C5x、可驱动高压 SiC FET (它是知名峰值电流模式控制器的旋钮、但经过精细调节以实现更高的栅极驱动电压)。 该控制器提供一个可订购的 EVM、该 EVM 接受40V 至1kV 电压、可提供15.2V 和40W 功率、无需光耦合器、因为环路通过初级侧辅助方式闭合。 减少了。 请在此处查看相关 EVM 的文档：

    https://www.ti.com/tool/UCC28C56EVM-066

    此致、

    Roberto