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[参考译文] TIDA-010242:反向输入保护额定值

Guru**** 2482105 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1420278/tida-010242-reverse-input-protection-rating

器件型号:TIDA-010242

工具与软件:

该参考设计表明它受高达-65V 的反向输入保护。  不过、显示反向输入的单个图看起来只像-28V。

反向输入将先后看到 D5 (36V 最小击穿电压)和 D3 (正向)。  在-36V 至-40V 的电压下、我预计会有很大的电流开始流经该路径、并且我预计 D5中的功率耗散会快速破坏到远低于额定-65V 的水平。  这是准确的吗?  

您能否谈谈两个串联 TVS 二极管的布置?  为什么不只使用单个双向 TVS 二极管?  能否使用不同的布置仍能提供所需的瞬态保护、同时仍保持 LM74800的完全-65V 反向保护?

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    Eric、您好!  

    请给我一天左右的时间、看看这个。 一旦得到答案、我将立即与您联系。  

    此致!

    McKenzie

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    Eric、您好!  

    在电压尖峰事件期间、TVS 二极管(D3)用于抑制+250V 尖峰。 TVS 的击穿电压需要大于浪涌事件的最大电压(100V)但小于最大电压尖峰事件、以确保 TVS 在浪涌事件期间不会损坏。 D5用于抑制-250V 尖峰。 这意味着击穿电压需要小于 MOSFET (Q2)的额定值。

    在大多数情况下、D3用于正电压浪涌/尖峰、而 D5、双向器件用于负电压浪涌/尖峰。

    以下链接也可能提供一些帮助:

    - 这讨论了发生的多个事件以及如何选择每个组件(Link)。   

    -第10.3节讨论了负载突降保护(与上文相似);第11.3节讨论了选择 TVS 二极管(链接)

    如果您有任何问题或评论、请告诉我。  

    此致!

    McKenzie

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    谢谢、但这并没有解决电路"高达-65V 的反向输入保护"这一说法。  大于 D5击穿电压(~36V)的直流反向电压会损坏电路。

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    Eric、您好!  

    进行一些挖掘后、 LM74800会受到高达-65V 的反向输入保护。  在高达-65V 的电压下、保护电路不受保护。  

    根据 MIL-STD-1275E 浪涌保护参考设计它说"要通过这些事件、请勿在反极性事件期间运行保护电路"。 我可以利用这个线程帮助您、对该设计并不是非常熟悉、但我认为这是指在保护电路之后连接反极性测试。  

    此致!

    McKenzie