工具与软件：
您好！
我已经研究过 UCC24612等同步整流器的其他一些控制器、我注意到它们有 MOSFET 最小 RDS (on)的计算(数据表中的主题8.2.2.1)。 我目前将 UCC24624用于 RDS (ON)为0.7m Ω 的 GaN FET (带有体二极管)。 这可以限制或限制 UCC24624控制器的工作方式吗？ 我注意到、当功率高于600W 时、控制器和 FET 升温。当负载为1kW 时、控制器温度接近62摄氏度(不确定这是否正常)。
尊敬的 Manikanta：
这是600W 下的 VDS1和 VGS1：
VDS1和 VGS1 (1kW 时)：
VDD 与电路的12V 输出电压相同。
我在次级侧的电路与该图完全相同、每个 FET 上都有一个2.2R 栅极电阻器：
SR 控制器的关断速度快得多、栅极电压约为8 ~ 9V。 VGS 的测量不是直接连接到控制器的引脚、而是使用带尖端和接地筒的探针从栅极连接到 FET 源极。
遗憾的是、我无法分享设计的布局、但我注意到 VSS 的检测引脚与负载电流路径共享同一个多边形平面(这可能会导致检测噪声)。
您好、Hugo：
可以通过 VSS 引脚上的电阻器增大关断阈值。 20欧姆、您已经利用了它。 因此、您必须使用更高的 RDS FET 或采用较低电感封装的 FET、以延长栅极导通持续时间。
建议的 RDS 值可通过下面给出的公式得出：
此致
Manikanta P
