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[参考译文] CC1310:CC1310在进入深度睡眠模式时无法维持 VDDR 电压(1.68V)

Guru**** 2347060 points
Other Parts Discussed in Thread: CC1310
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1484692/cc1310-cc1310-fail-to-maintain-vddr-voltage-1-68v-when-entering-the-deep-sleep-mode

器件型号:CC1310

工具与软件:

您好!

对于我们的一些 CC1310样片、我们看到以下故障模式: 在 进入深度睡眠模式时、VDDR 输出无法保持1.68V。 VDDR 获取少量再充电脉冲、然后电压降至0V。

直流/直流转换器输出端(CBULK)的默认电容器为22 μ F。如果我们添加与该电容器并联的电容器(例如另一个22 μ F)、VDDR 能够保持1.68V 的电压。

在进入待机模式后、即使我们移除这个额外的22 μ F 电容器、器件仍保持1.68V。  

如果我们设置 CCFG_FORCE_VDDR_HHH=1、则该器件可以保持深度睡眠模式。 这会将 VDDR 电压设置为~1.95V。

这可以通过单个22uF 电容器维持深度睡眠模式。 但是、 由于功耗较高、我们不能在我们的设计中永久设置该值。

这是否是器件进入深度睡眠时的电流峰值所致? 如果是、怎样才能使器件在使用单个电容器时仍能在1.68V 的电压下工作?

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    您好!

    您能否将原理图贴出来?

    是否有其它连接到 VDDR 的设备?

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    原理图与 CC13-90相同、工作在直流/直流转换器模式下。  

       

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    CC13-90可与单个电容器配合使用。

    SWRA640应用手册中指出了该限制 VDDR 是内部电源轨 由内部直流/直流转换器或内部 全局 LDO 供电、但也可以由外部电源供电。 VDDR 稳压至 约为 1.68V。   在升压模式下运行时(14dBm 输出功率)、此电压约为1.95V。

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    该器件在全局 LDO 模式下工作。 仅在直流/直流模式下观察到故障。 默认情况下、VDDR 设置为1.68V、大多数器件在此电压下工作、没有任何故障。 根据我的理解、深度睡眠期间的再充电脉冲将自动计算。  是否有任何其他设置影响此再充电脉冲?

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    但你在这里对失败的定义是什么?

    VDDR < 1.68V 并不是 故障。  

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    在我们的正常固件操作中、CC1310进入 DEEPSLEEP 模式一段时间、然后变为活动状态并发送数据、然后返回到深度睡眠状态。 即使在睡眠模式下、它也会响应所有 DIO 输入。

    对发生故障的器件进行编程。一旦 VDDR 变为0V:

    • CC1310停止响应 DIO 输入
    • CC1310不会通过固件进入活动模式

    激活 CC1310的唯一方法是进行硬件复位。  

    这是我们的失败案例。 在某种程度上、充电周期无法在进入深度睡眠模式后维持 VDDR 电压。

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    我强烈建议提交您的设计以供审核。 我从来没有见过有人必须在输出端添加更大电容器的情况。

    -您是否使用参考设计中相同的22 uF ? 如果不是、降额等是什么?

    -从描述来看,它听起来像是你从 VDDR 节点在某种程度上的电流。 如果不能看到实际的原理图、就无法说明内容。  

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    您好!

    设计评审门户位于此处:

    Sub-1GHz 设计审查提交内容:  https://www.ti.com/tool/SIMPLELINK-SUB1GHZ-DESIGN-REVIEWS

    此致、

    Zack