[参考译文] CC1312R：NVS 闪存损坏

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https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1068954/cc1312r-nvs-flash-corruption

部件号：CC1312R

您好，香榭丽舍

1.客户使用 NVS 驱动程序在 Flash 中记录数据

2.如果 NVS 操作期间断电，他的整个闪存都会损坏，他需要重新刷新整个 SoC 才能使其再次正常工作。

3.客户预期，如果发生断电，最糟糕的事情是正在擦除/写入的闪存扇区损坏，但其余的都是正常的

这种期望是否有效？

我的第一个想法是在使用 NVS 驱动程序之前进行 Vdd 测量，并且只有在 Vdd 处于可接受的级别时才开始写入/删除...

在 CC1312上删除扇区所需的最长时间是多少？

我们是否有一些最佳实践收集操作系统中 NVS 的使用情况/如何设计硬件和软件以排除擦除/闪存操作期间断电等情况？

谢谢

塔马斯

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2595770 points

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对于擦除时间：从 CC1312R 数据表：

请注意红色的脚注。

[引用 userid="35019" url="~ë/support/wireless-connectivity sub-1-GHz-group/sub-1-GHz/sub-1-GHz-forum/1068954/cc1312r-NVS-flash-corruption"]如果 NVS 操作期间断电，其整个闪存都会损坏

需要澄清的是：如果客户在断电并读回全闪存内容时对特定页面/扇区执行闪存操作，则整个内容是否已损坏？因为在写入内容之前必须擦除闪存页面，这听起来很奇怪。如果在擦除一个扇区时发生断电，则不应擦除整个闪存，因此其余闪存的内容不应受到影响。

您写道“断电”：在这种情况下，芯片的 VDDS 如何？当我读取“断电”时，我希望 VDDS 达到0 V，如果是这种情况，软件将停止运行。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2595770 points

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在擦除/写入操作期间断电后(他不知道断电期间执行的操作)，他的闪存将损坏，其应用程序 SW 将不再启动。

他声称，他唯一的解决办法是重新刷新整个设备。

我已经要求他提供原理图，一旦他提供，我会将其发布在这里。

我还会要求对 VDDS 进行范围捕获，以便清楚他的功耗含义。

谢谢

塔马斯

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2595770 points

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[引用 userid="35019" url="~ë/support/wireless-connectivity sub-1-GHz-group/sub-1-GHz/sub-1-GHz-forum/1068954/cc1312r-NVS-flash-corrupt/3956535#3956535"]，其应用软件软件无法启动[引用/引用]。

这并非意料之外。但这取决于应用程序使用闪存的方式。

一个非常简单的组成示例：

假设应用程序位于第0-9页，某些变量位于第10-11页。如果前10页中的任何一页被销毁，他的应用程序将崩溃，但如果第10页至第11页受到影响，我希望它能够正常工作。

因此，如果可以重新创建：在检测到损坏时读取整个闪存，并在损坏前与内容进行比较。多一页是否会受到影响？还请检查.map 文件，受影响的闪存页面上有什么内容？

低于 1GHz（参考译文帖）

低于 1GHz（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] CC1312R：NVS 闪存损坏