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[参考译文] CC1200:板布局

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: CC1200, CC1120

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/571470/cc1200-board-layout

部件号:CC1200
主题中讨论的其他部件: CC1120

您好,


关于布局的一些问题。 遗憾的是,由于空间限制,无法逐字遵循参考设计。

1) CC1120的2层IPC设计(swrr106a)是否也适用于CC1200? 我注意到此设计与 http://www.ti.com/seclit/df/tidr180/tidr180.pdf之间存在一些差异。 例如,C231的值从1.8nF更改为1.5nF。

2) IPC之前PA部分的布局有多重要,包括L171,R171,C173,C171和C172 (swr106a)? 我能否将这些组件彼此靠近?

3)在PA部分中,去除C171 (10nF)而在附近的47nF去耦合帽(如C151)上使用背负式是多么可怕?

4)假设CC1200与IPC之间的距离不超过几毫米,这两者之间的距离是否重要? 如果是,最佳距离是多少?

谢谢

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    此外,在空间限制下,是否可以组合去耦电容器C281和C271 (AVDD_XOSC和AVDD_SYNTH_CMOS)? 两个针脚彼此相邻。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    1)是,对于RF部件。 (IPC连接的针脚)
    2)您应该能够这样做,您也可以查看0201组件。 最重要的设计标准是LNA和短TRX线的对称性。
    3)去耦合:AVDD_XOSC应具有单独的去耦合盖,以避免出现突起。 其它分离盖也可以组合。 我们仅对参考设计进行了详细测试,但我们进行了一些测试,拆除了大多数去耦合盖,没有任何负面影响。 请注意,这是一个测试实体完成的测试。
    4)是的。 芯片和IPC之间的迹线是匹配的一部分,IPC应靠近芯片。