Other Parts Discussed in Thread: WMBUS, CC1125
主题中讨论的其他部件：WMBUS， CC1125
您好，
我正在为WMBUS开发天线分集系统(T1模式，100kcps，2FSK，偏差50kHz， 2B同步字， 序言部分第5段)。 我开始使用单天线解决方案，灵敏度没有问题。 获得的参数是有益的(对于-105dBm的信号强度，数据包长度-20B，为per = 50 %)。 此外，每个参数的强度信号为0 % (0dBm及更多)。 我最近在连续模式下使用载波侦听和PQT模式对天线多样性进行了一些实验。 结果非常有希望-在CS模式下正确切换天线可获得最小的灵敏度损失(1-1.5dB)。 PQT模式太慢，由于前导短导致每次增加(前导长 修复了该问题-但在我的情况下，这不是允许的解决方案)。 不幸的是，发现了一个新问题。 在CS模式下，RF测量显示，每电压随着输入信号强度的增长而快速增长(60 % 表示-60dBm；80 % 表示-50dBm；90 % 表示-40dBm)。 我试图提高AGC的速度，但每次降低都没有成功。 在寄存器中应用许多其他更改也是如此：start_previous_gain _EN，FE_performance_mode和AGC_SYNC_Behavior。 唯一有效的解决办法是将序言部分延长到30B。
寄存器配置：
｛CC112X_FS_VCO0，0xb4｝，｛CC112X_IOCFG3，0x24｝，｛CC112X_IOCFG2， 0x11｝，｛CC112X_IOCFG0，0x00｝，｛CC112X_IOCFG0，0x00｝，
｛CC112X_DEAVIAT_M，0x9A｝，｛CC112X_MODCFG_DEF_E，0x06｝，｛CC112X_DCCFILT_CFG， 0x15｝，｛CC112X_FREQ_IF_CFG，0x39｝，｛CC112X_IQIC，0x00｝，
｛CC112X_MDMCFG0，0x05｝，｛CC112X_AGC_REF，0x3C｝，｛CC112X_AGC_CFG1， 0xA9｝，｛CC112X_AGC_CFG0，0xC3｝，｛CC112X_FIFO，CFG，0x05｝，
｛CC112X_结算_CFG，0x03｝，｛CC112X_FS_CFG，0x12｝，｛CC112X_RFEND_CFG0， 0x03｝，｛CC112X_PKT_LEN，0x1F｝，｛CC112X_IF_MIX_CFG，0x00｝，
｛CC112X_TOC_CFG，0x0A｝，｛CC112X_FREQ2，0x6C｝，｛CC112X_FS_DIG1， 0x00｝，｛CC112X_FS_DIG0，0x5F｝，｛CC112X_FS_CAL0，0x0E｝，
｛CC112X_FS_CHP，0x30｝，｛CC112X_FS_DIVTWO，0x03｝，｛CC112X_FS_DSM0， 0x33｝，｛CC112X_FS_DVC0，0x17｝，｛CC112X_FS_PFD，0x50｝，
｛CC112X_FS_PRE，0x6E｝，｛CC112X_FS_REG_DIV_CML，0x14｝，｛CC112X_FS_SPARE， 0xAC｝，｛CC112X_FS_VCO4，0x1F｝，｛CC112X_FS_VCO1，0xAC｝，
｛CC112X_XOSC5，0x0E｝，｛CC112X_XOSC3，0xC7｝，｛CC112X_FS_CAM0， 0x0E｝，｛CC112X_XOSC1，0x03｝；
｛CC112X_CHAN_BW，0x01｝，
｛CC112X_FREQ0，0x66｝，
｛CC112X_FREQ1，0x9e｝，
｛CC112X_PA_CFG0，0x7a｝，
｛CC112X_SYMBOL_RATE0，0x9a｝，
｛CC112X_symbol_rate1，0x99｝，
｛CC112X_SYMBOL_Rate2，0xa9｝，
｛CC112X_SYNC3，0x54｝，//同步word 01_01_00
｛CC112X_SYNC2，0x3D｝，//同步word 00_11_11_01
｛CC112X_SYNC_CFG0，0x1b｝，// 16H位，位错误限定符已禁用
｛CC112X_AGC_CS_thr，0xFD｝，// CS threshold INT8_t (-3)
｛CC112X_SYNC_CFG1，0x0a｝，// 5LSB为同步阈值
｛CC112X_Preambeer_CFG1，0x35｝//前导码的5字节0x2D - 12B 0x35 - 30B
分集切换时间： 0.2606ms (27位前导码)
我的问题是如何解决具有相同短前导码(5B)的高强度信号的问题。 我有兴趣降低-30dBm输入信号的Per to 0 %。
