几周前、我发布了来自定制射频板的 TX 和 RX 数据、结果表明、在测试过程中传输4英尺长的信号时、存在很大的信号损失。 我有6个定制电路板以及2个 TrxEB 演示电路板。 使用相同的 TX 配置数据和相同的 RX 配置数据、我在每个电路板都处于 TX 模式和 RX 模式时映射了 dB 网格。 无论演示板或我们的定制板是否接收到该数据、接收到的平均 dB 约为-50dB。 因此我探究了原因。 演示板之间的通信速度大约为-16 dB、因此我的板显然有问题。
有关下一版本电路板的更好消息。 未更改原理图、但我在上一版本中注意到、在4层电路板上、层极上层、电源层、接地层和底层错误。 我们的布局人员交换了电源和接地层、并更好地隔离了一些基于 TI 演示板的东西。 好很多。 当我们的自定义板处于 TX 模式时、演示版 TI 板将以-25dB 接收、这要好得多。 但是、如果我的定制板处于 RX 模式、无论演示板或我的定制板是否正在传输、dB 读数都约为-45。 所以、我不清楚为什么在 RX 模式下读数会更差。
这就提出了一个问题：我的 dB 计算是否正确？
我正在使用：
//射频信号强度指示器- 8位
unsigned char RSSI8 (signed char *值)
{
unsigned char rssi0、rssi1；
signed char rssidb;
如果(RFRXTX_READ_Extended_Config_Register (RSSI0、&rsi0)==成功)
{
如果((rssi0 & 0x01)！= 0) // RSSI0的位0是 RSSI 有效位
{
如果(RFRXTX_READ_Extended_Config_Register (RSSI1、&rsi1)==成功)
{
rssidb =(signed char)(rssi1-102)； // 102是偏移值
*值= rssidb;
返回(成功)；
｝
返回(失败)；
｝
*value = 0; //读数无效
返回(成功)；
｝
返回(失败)；
｝
有人能证实这是正确的公式吗？ 如果是、有什么想法表明、当演示板在使用相同的配置寄存器数据时、RX 模式下的 dB 与 TX 之间存在本质上的区别？
萨顿
