[参考译文] CC1101-Q1：SO/GDO1引脚处于高电平、器件可能无法进入断电状态、测得高电流、无法发送

嗨、Siri、不确定您是否已阅读我在下面的回复、该查询标记为已重新发布、  但我们找不到任何明显的软件问题,除了你的一些意见,我恳请你也许澄清一些更为什么调用刷新 fio 命令 musnt',除非有错误的 fio。 此外、是否存在超出溢出缓冲区阈值的锁存 RSSI 值、如果存在未正确处理的 RX FIFO 溢出、则该值会阻止使用 TX-IF-CCA 设置传输新的 Tx 消息？

由于我无法获得有关您的代码或完整 SPI 图的详细信息、因此我只能简单地回答、很难告诉您问题是什么。

对于 CCA、是的、无线电需要处于 RX 状态才能使用此功能。

根据信道是否清除进入 TX、但为了让无线电知道信道是否清除、它需要侦听信道(处于 RX 中)。

在刷新 FIFO 时、这会改变 FIFO 指针、不应在 RX 或 TX 状态等状态下完成、因为如果发送/接收数据包、这些状态下的指针会更新。 因此、除非处于错误状态(刷新 FIFO 是退出错误状态的方法)、否则切勿刷新 FIFO。 如果您知道您处于空闲状态(我上一篇文章中写入了 RX 而不是 IDLE 时出错)、清空 FIFO 也是安全的

如果您最后在处于 RX 状态以在进入 TX 之前检查通道时进入溢出状态、则将无法进入 TX。

溢出状态必须首先被正确处理(通过刷新 FIFO)、然后您必须再次进入 RX。

Siri

感谢 Siri、非常感激、我们部署了一些诊断固件来了解状态。 我会随时向您通报最新情况。 我们发现的一个差异是故障器件中的 GDO1引脚处于高电平。  

我通过编写一些自定义固件而不复位射频芯片、成功地将自己插入到了微控制器的 SPI 线路中。

当我只执行一个返回的样本时、射频芯片看起来具有所有的默认值(即其中没有我们的初始化/编程值、有一个例外：)

GDOx 引脚的设置如下：

有什么想法会导致重置并实现这些 IOCFGx 设置？ 并具有其余默认配置。

如果它是完全电源复位或重新初始化、则数据表设置将不是0x02、0x00和0x00  

然后我重新编程了 MCU、它会重新初始化射频芯片、使得器件可以重新工作。 即射频电路不会受到永久性损坏。

有什么建议吗？

有了该设置、GDO1引脚(SO)将与 RX 溢出相关联 、这将解释为什么在 CS 释放后将其置位为高电平。

问题是、我们的代码中没有任何地方具有该值作为此引脚的可能配置。

此致、

我还问 PKTSTATUS 是：0x80还是 0x08 (我在 Excel 工作表中可能没有正确键入)、 Marc _state 为0x01

关于 复位、我知道对于 CC1101 (不是 CC11x1-Q1)、数据表中有一个表格(上电复位要求)、如果这些要求未被超限、您不知道寄存器在上电时的状态 、因此需要手动复位。 我将联系比我更了解 Q1器件的人、以了解为什么 Q！ 细节和指导。

Siri

我现在正在阅读本节、将器件从睡眠模式唤醒时是否需要类似的等待时间：

"当 CS 被拉至低电平时、MCU 必须等到 CC11x1-Q1、以便引脚变为低电平、然后才能开始传输标头字节。 这表明晶体正在运行。 除非芯片处于睡眠或 XOFF 状态 中，使 CS 置为低电平后，SO 引脚立即变为低电平。 "

因此、在唤醒过程中、是否有可能在晶体稳定之前、尝试在 SPI 上写入芯片、从而使芯片复位或进入某种未知状态？

从我们的代码中可以看到、我们除了在启动时调用复位之外、不在任何位置调用复位。

配置完成并运行应用程序后、将执行 上述命令使 CC1101进入睡眠状态 、然后在1秒后将其唤醒

作者：

SET_RF_SCLK ()；
CLR_RF_MOSI ()；
SET_RF_CS ()；
nop()；nop()；
CLR_RF_CS ()；
delay_usec (45)；
SET_RF_CS ()；
delay_usec (100)；
INT WAIT_DELAY = 0；
while (WAIT_DELAY++< 500)
{
if (rf_miso =0) break；
｝

MCU 时钟为8MHz、增量和分支比较等指令为 1周期或2周期指令。 因此、上述 WAIT_DELAY 在250us 到500us 之间  

老实说、现在看看、我不知道为何上述操作如此复杂。

唤醒射频芯片的原因不应只是：

SET_RF_CS ()；

while (rf_mISO)

{

NOP()；

｝

你好,又 Siri。  如果附近强大的发射器发出的接收信号过强、此射频芯片上是否有其它组件会重置芯片？  

您好，Norm

接收器将处于饱和状态、无法解调任何内容。