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[参考译文] CC1354P10:EVM 中的32kHz 负载电容值在原理图和 BOM 上显示错误

Guru**** 2481375 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1319693/cc1354p10-32khz-load-cap-values-in-the-evm-appear-wrong-on-the-schematic-and-bom

器件型号:CC1354P10

高无线支持、  

我的客户注意到 EVM 上的32.768kHz 晶振缺少相同的负载电容。   https://www.ti.com/tool/LP-EM-CC1354P10

请注意、它们显示12pF 和15pF 、这是不常见的、因为它们通常是相同的值、除非使用示波器和纯频率(需要进行大量工作)进行凭经验调整。  还是只是一个拼写错误?

如果我们使用以下计算器(我检查了 基础的数学) https://ecsxtal.com/crystal-load-capacitance-calculator/

我看到我们在 EVM 上选择的器件- TZ3581F Tai-saw https://www.taisaw.com/assets/PDF/TZ3581A%20_Rev.1.pdf 为我们提供了一个7pF CL  

假设杂散电路板电容~2pF 的值为10pF、~5pF 的值为4pF。

我们是否假设杂散电容为~1pF?  或者我们是否实际通过输出一个纯粹的频率和调整电容来测量这些值  ,正如 www.ti.com/.../swra372c.pdf 中隐含的那样?

如果原理图正确、并且我们想要更改这两个值、我们可能应该在原理图上做一个注释、或者我们将十几次地回答这个问题。

另外、请告诉我上面的 calcs 是否有错误。

谢谢!   

布莱克

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Blake、

    这些值(12 pF 和15 pF)是特意设计的、在实验室中经过了微调、以考虑 PCB 布局的寄生电容。

    因此、如果客户要复制参考设计、我们建议使用12/15 pF 的组合来降低需要在其电路板上对其进行微调的风险。

    下面是一个更详细的应用手册、其中介绍了晶体振荡器的理论和选择、  SWRA495  (晶体振荡器和晶体选型、适用于 CC26xx 和 CC13xx 系列无线 MCU): https://www.ti.com/lit/swra495 -我建议您将其用于我们的 CC13xx 器件。

    此致、

    扎克

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Zack!  答案很好-如果我们不断收到这个问题-我们可能会在原理图上做一个注释。  我注意到该页面上已经有其他几条注释。

    谢谢!

    布莱克