[参考译文] CC1354P10：晶体与射频性能对比如何测量？ CC1354

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：CC1354P10
主题中讨论的其他器件：CC1190、

你(们)好！

在我们基于 CC1354P10RGZ 的定制设计中、我们使用安装了外部负载电容器的此晶体、其属性在 TI 建议的另一个类似晶体中很好。

因此我想知道-

上述晶振是否能正常使用？只要它符合设计/布局规则?
我们看到 CC1352P10RGZ 工作正常(RF 除外)、在 RF 方面、我们仍处于测试模式、因为我们将其与外部 PA CC1190配合使用、但我想知道我们是否需要禁用内部负载电容？ (如果是、如何在 Smart RF Studio 中实现？)
一般而言、我想了解所用 RF 与晶体的性能对比？ (假设容差不良或由于 PCB/设计问题导致晶体性能不良)、在这种情况下、RF (SubGHZ 或2.4GHz)的输出是否会完全关闭？否则它将降级。例如、如果我们将发射功率设置为5dBm、并且由于晶振的行为可以获得大约0dBm 的信号？

此致、
垫

0 admin 9 个月前

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尊敬的 Bhautik：

1.我们还通过电子邮件提供推荐的48 MHz 晶体列表供参考。如果您希望使用所链接的晶体、则可以使用以下应用手册作为选择晶体的参考指南(提供了要考虑的不同参数的详细信息)：

SWRA495 (CC26xx 和 CC13xx 系列无线 MCU 的晶体振荡器和晶体选择)： https://www.ti.com/lit/swra495

理想情况下、我需要查看特定的晶体数据表、以便能够检查器件的适用性、因为链接的数据表中提供的参数适用于整个供应商系列。

您能向制造商索取吗？例如、工作温度范围没有具体要求(因此我无法对此进行评论)。

如果制造商不希望在公共论坛上共享这些信息、您可以通过电子邮件发送。

2.当您将 CC1190与 CC1354P10的低于1GHz 路径(而不是+20dBm HPA 路径)配合使用时、您可以禁用内部负载电容。这可以使用 SmartRF Studio 中的以下按钮进行切换：

如果Enable high output power PA setting已关闭、则可以默认将其关闭、但不是必需的(如果需要、可以使用内部电容器阵列)。

有关此方面的信息可在中找到 第3部分 (特别是 3.1.1 )、共：

3. 遇到 TX 输出功率问题时首先要检查的因素是匹配网络和/或射频设置。晶体容差(以及随附的频率偏移)可能会影响所需的 RX 带宽、以及伴随的本底噪声降级、最终是 RX 灵敏度。

以下应用手册中提供了有关这方面的更多信息(基础理论也适用于 CC13x4器件)：

此致、

扎克

低于 1GHz（参考译文帖）(Read Only)