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[参考译文] CC1352P:如何根据电容阵列增量计算48MHz 晶体周围的电路板电容?

Guru**** 2392095 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1361700/cc1352p-how-to-calculate-board-capacitance-around-48mhz-crystal-from-cap-array-delta

器件型号:CC1352P

您好!

在我们的一个定制 PCB 上、 当 移除48MHz 电容器的负载电容器时、将电容器阵列增量设置为0x07将提供最准确的频率。 48MHz 晶振的额定负载电容为12pF。 展望未来、我们将不会为晶体安装外部负载电容器、而是仅使用内置电容器阵列。

出于好奇心、如果我们仅使用外部负载电容器、那么最适合的电容器值是多少?  在 SWRA640E 的表7中、有一列显示了参考板上测得的电容。 此列是否意味着电路板电容?  

请告知、谢谢。

ZL

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、ZL:

    请注意、SWRA 已更新且目前处于修订版 H (撰写本文时):

    SWRA640  (CC13xx/CC26xx 硬件配置和 PCB 设计注意事项): https://www.ti.com/lit/swra640

    在 SWRA640 (相关部件已突出显示)中:

    表6-1显示了生成的 在评估板上测得的总电容 与电容器阵列增量值的关系。 请注意、最终的电容值包括寄生电容、因此最低设置不是0pF。

    测得的该寄生电容约为2pF、即最低设置的2.1pF 测量电容。

    另请注意在需要使用外部电容器而不是内部电容器阵列时的例外情况  在  第3.1.1节 (尤其是在使用+20dBm PA 时)。 应尽可能遵循参考设计(以及负载电容值)。 所选晶体将具有其数据表中列出的给定负载电容、因此必须考虑到这一点。

    以下应用手册也是有用的参考:  SWRA495  (CC26xx 和 CC13xx 系列无线 MCU 的晶体振荡器和晶体选择): https://www.ti.com/lit/swra495

    此致、

    扎克

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Zack、

    再次感谢您回答我的问题。 我想我的困惑是关于 Δ/偏移的单位。 仔细阅读了几次文字后、我倾向于认为单元是 pF。 如果我们单独使用外部负载电容器、我将这样计算它们的正确值。

    此致!

    ZL