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[参考译文] SN74LVC1G3157:Cio (on)和 Cio (off)

Guru**** 2348500 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74LVC1G3157
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https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1483881/sn74lvc1g3157-cio-on-and-cio-off

器件型号:SN74LVC1G3157

工具与软件:

尊敬的技术支持团队:

 SN74LVC1G3157的以下电容 Cio (on)和 Cio (off)在哪里?介于哪里?
我想这三个地方是简化的,但我想知道它们是寄生的比例是多少。

Bn 引脚和 GND 之间・Ω
引脚和 GND 之间为・Ω
连接 Bn 的开关和之间・μ F (例如 FET 漏极和源极之间的电容)

如果可能、您能否在方框图中填写相应的器件?

最棒的餐厅

TTD

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    它是在引脚上相对于 GND 进行测量的。

    (FET 没有单独的 GND 引脚。)

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    您能否告诉我在 Bn 端子和端子已连接的条件下使用一个简单的等效电路?

    例如、如果是等效性、如下所示、请告诉我 C1和 C2的值。

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    您好、Akihisa、

    通常、出于仿真目的、我们会说 C1和 C2各为1/2 CON。 对于1:1开关、这保持非常一致、但实际上、由于漏极侧的导体空间稍大、因此对于 x:1开关、您可能会在漏极侧看到更多的导体空间。 因此对于该器件、A 侧的 CON 电流会稍高。 例如、对于 a 为10pF、对于 b1为7pF。  
    源极和漏极的 COFF 相同。 因此、使用相同的等效模型时、C1和 C2将为5pF、而 RON 将具有非常大的阻抗。

    谢谢!
    Rami

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    尊敬的 Rami:

    感谢您发送编修。

    此致、

    A. Wakebe/TED