[参考译文] LMG3522R030：并联 LMG3522R030

尊敬的 Imre：

建议在基于硬开关的拓扑的 SW 节点处放置一个去耦电感器、以提高动态状态性能。 这是基于我们对并联2个半桥的实验室测试。 1uH 范围内的去耦电感器可以适应瞬态条件下的延迟和不匹配、并降低快速导通开关上的开关损耗/过应力。 并联4个半桥单元可以采用类似的方法。

谢谢！

Subhransu

感谢您的答复。 我想澄清几个有关推荐去耦电感器的问题：

您提到了将去耦电感器放置在 SW 节点上。 由于开关同时具有源极和漏极、您能准确指定 SW 节点在此上下文中的位置吗？

我们的应用为三相逆变器、电机本身可提供很大的电感。 鉴于此、我们的设置是否仍需要去耦电感器？ 如果是、它的作用与您经过实验室测试的配置中的作用有何不同？

我感谢您的见解、并期待您的建议。

再次感谢您的见解。  此外、我们想知道是否有任何有用的应用手册可供参考。

谢谢您、

 Imre Kiss