主题中讨论的其他器件:LM5171-Q1、
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您好、
我正在设计升压转换器、 输入源电压范围为 8V 至 16V。 升压的输出为 12V、负载电流为 360A。 当输入源电压超过 12V 时、我需要使高侧开关持续导通(100%占空比)、低侧开关继续关断以获得 Vout=Vin。
我将 LM5171-Q1 用于具有占空比限制的升压应用、因为它支持自举模式。 因此、对于 100%占空比应用、我使用具有 100%占空比能力的不同高侧驱动器(电荷泵)。
TMUX7219 的应用适用于为高侧开关选择栅极驱动器。 使用来自 LM5171-Q1 的 GATE 脉冲将 S1 输入连接到 S1。 S2 的输入将是来自具有 100%占空比能力的高侧栅极驱动器的栅极脉冲。 输出 D 将连接到高侧 MOSFET 的栅极。

现在我的查询如下:
我的 MOSFET 的总栅极电荷 Q=183nC。 上升时间为 18ns。 考虑
栅极电流公式。
Ig = 183nC/18ns= 10A、持续时间仅为 18ns。MOSFET 导通后、栅极电流将仅为 18.3mA。
因此、TMUX7219 是否能够在 18ns 的时间内承受 10A 电流?
提前感谢。
此致
ARCHIN N BABU
