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[参考译文] LMG3422R030:反向导通(第三象限)特性

Guru**** 2587345 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3422R030

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1571317/lmg3422r030-reverce-conduction-third-quadrent-characteristics

器件型号:LMG3422R030


工具/软件:

在我的应用中、TI LMG3422R030 需要在第三象限运行。 5A、10A、15A 和 20A 时的压降是多少  IN 引脚为高电平  并且开关在第三象限(反向导通)中工作。 它与第一象限(正向导通)处的压降相同吗?

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    您好、

    当 IN 引脚为高电平时、压降将为 IFET x Rdson。 对于 IN 为低电平且 FET 在第三象限运行的持续时间、您可以参考曲线图 5.6 表格、在 LMG342x 数据表中。

    此致、

    Ruchika.

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    感谢您的答复。 我同意您的观点、但我注意到在 LMG3422R030(如数据表的功能方框图中所示)中、Si FET 与直接驱动 GaN FET 串联。 我想知道 Si FET 的体二极管是否会影响反向导通期间 GaN FET 的整体电压。 请您确认一下。

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    尊敬的 Yajush:

    我们将其设计为在将 VDD 施加到器件时、串联硅 FET 始终导通、因此在反向导通期间、体二极管电压不会出现。 但是、当未施加 VDD 时、体二极管的 Qrr 将生效。

    希望这能回答您的问题。 如果您的问题已解决、请点击绿色按钮。

    此致、

    Pratik A.