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[参考译文] LMG2100R026：LMG2100R026 适用于 48–65V 输入和 20A–30A 连续电流

admin
Guru**** 2813275 points

Other Parts Discussed in Thread: LMG2100R026

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1614772/lmg2100r026-suitability-of-lmg2100r026-for-48-65v-input-and-20-30a-continuous-current

器件型号： LMG2100R026

您好：

我们将评估用于功率放大器级的 LMG2100R026 GaN FET。 您能否确认此器件是否适合：

  • 输入电压范围：48–65V

  • 持续漏极电流：20A 至 30A

此外、我们希望提供能够满足这些要求的其他 GaN 或 SiC MOSFET。 理想情况下、我们正在寻找具有以下特性的器件：

  • 高效率和低开关损耗

  • VGS 大于 100V

  • 大于 10MHz 的开关频率

  • 持续漏极电流大于 60A（适用于更高的功率级）

  • ‑具有死区 1 μ s 时间控制功能

感谢您的指导。

  • 0
    TI__Guru**** 2813275 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Shasheendra：

    感谢您的联系。

    回答您的 2 个问题：

    LMG2100R026 适用于所需的电压和电流范围、

    2.目前我们有 LMG2175 170V GaN 半桥功率级、  RDSon = 4.3m Ω（典型值）、Ioutmax @25°C = 62A 且 Fswmax = 10MHz。

    此器件还支持具有死区时间控制的单 PWM 模式、以及 理想二极管模式、从而降低第三象限损耗

      如果您 可以使用高达 10MHz 的开关频率、请发送给我的电子邮件 ID r-sinha1@ti.com 以获取详细的数据表。

    此致、

    Ruchika.

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    TI__Guru**** 2813275 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ruchika：

    您能分享 LMG2175 170V 的数据表和任何可用应用手册吗？ 此外、该器件是否包含专用的源极感测引脚？ 如果没有、此 IC 如何处理源感应？

    谢谢、此致

    Shasheendra

    DE、声纳系统

    Bel

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    TI__Guru**** 2813275 points
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    尊敬的 Shasheendra：

    我已在电子邮件中回复您的查询。

    此致、

    Ruchika.

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    TI__Guru**** 2813275 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ruchika：

    您能否分享 LMG2100R026 应用手册？ 具体而言、我想查找有关在使用四 MOSFET（全桥）配置的 D 类音频功率放大器中实现此功能的文档。

    非常希望针对此特定用例提供有关布局最佳实践或栅极驱动优化的指导。

    谢谢、此致。

    Shasheendra

    DE、声纳系统

    Bel

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    TI__Guru**** 2813275 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Shasheendra：

    我们没有任何有关在 D 类音频功率放大器中实现此功能的文档。

    有关布局实践、请参阅 TI.com 上提供的 LMG2100 EVM

    https://www.ti.com/tool/LMG2100EVM-097

     

    此致、

    Ruchika.