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部件号：SN74CBT3125C 主题中讨论的其他部件：TS12A4.4514万
您好，
我一直在使用此开关，我一直注意到IC上的1V电压降，我不知道为什么会发生这种情况。 首先我以为我遇到了一些负载问题，但是断开输出并连接一个示波器，我仍然看到电压下降。
我的输入是5V，输出是4V ...... 数据表显示IO端口上的5V信号
任何想法
谢谢
约汉
您好，
我一直在使用此开关，我一直注意到IC上的1V电压降，我不知道为什么会发生这种情况。 首先我以为我遇到了一些负载问题，但是断开输出并连接一个示波器，我仍然看到电压下降。
我的输入是5V，输出是4V ...... 数据表显示IO端口上的5V信号
任何想法
谢谢
约汉
Yohan，
您的Vcc是什么？
SN74CBTXXXX信号开关架构是单个NMOS FET开关。 Vcc引脚正在偏压FET的门，并且I/O路径连接到排卸和源。 当FET源上的电压升高并接近栅极电压时，栅极和源Vgs之间的差值会降低。 当Vgs降低并接近FET阈值电压VT时，当FET关闭Vgs<Vt时，漏极和源RDSon之间的通态电阻将呈指数级增加 漏极和光源之间的这种较大的通态电阻 可能导致 FET上的1V电压降。
要解决此问题，您可以增加Vcc，这将增加 FET门的偏压，并增加Vgs，这将 保持FET打开并 继续保持 低导通状态电阻。
您还可以使用我们 产品组合中的不同器件，该器件具有与PMOS并行的传输门架构NMOS，或具有可提高门电压的充电泵的NMOS FET。 与 仅NMOS架构相比，这些架构将在整个I/O范围内为您提供平坦的电阻。 这些应用手册更详细地介绍了不同交换机系列和架构之间的权衡。
您认为TS12A4.4514万是一种传输栅极(NMOS并行PMOS)，可为您提供平坦的电压电阻。
谢谢！
亚当
