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https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1098460/leakage-current-of-anti-serially-switched-p-channel-mosfets
你好
您是否有使用抗串行开关MOSFET的经验？
我希望有一个低泄漏电流开关电路。
您是否具有抗串行MOSFET的工作原理？
使用N-MOSFET或P-MOSFET有何区别？
非常感谢！
Yun Fang您好！
感谢您对TI FET的关注。 反串行或背对背FET具有与单个FET类似的泄漏特性。 共用漏极或共用电源配置中的背对背FET可在FET关闭时防止反向电流流经主体二极管。 根据电压极性，一个主体二极管将导电，而另一个反向偏置仅导电单个FET的泄漏电流。 由于FET的门是独立的，因此可以单独处理栅源泄漏。 TI制造双N通道(独立，公共源和公共漏极)和双P通道(公共源)器件。 下面是我们双FET列表的链接。 请注意，其中一些器件包括单端(低泄漏)，背对背(高泄漏)或无(低泄漏)栅ESD保护。 我还包括了一个描述TI FET中使用的ESD结构的链接。
https://www.ti.com/power-management/mosfets/n-channel-transistors/products.html#p1143=Dual;Dual%20Common%20Drain;Dual%20Common%20Source
https://www.ti.com/power-management/mosfets/p-channel-transistors/products.html#p1143=Dual%20Common%20Source
https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include
此致，
约翰·华莱士
TI FET应用
