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[参考译文] TS5MP645:开关使用 N 沟道 FET

Guru**** 2482105 points
Other Parts Discussed in Thread: TS5MP645, TMUX646

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1012552/ts5mp645-switch-use-nch-fet

器件型号:TS5MP645

大家好、

我对 TS5MP645有疑问。
内部开关是否使用 Nch FET?
对于 Nch FET、如果开关输入电压和栅极电压之间的电压差很小、则导通电阻将增大。

我想看看 TS5MP645是否有类似的问题。

此致、
石田山

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ishiwata、您好!

    正确的做法是、当输入电压接近栅极电压(NFET)时、该器件的电阻将增大。 但是、对于1.3V 的标准 MIPI 应用、电阻在正常工作范围内相当平坦。

    此外、我们还提供了此器件(TMUX646)的更新版本、该版本最近发布、建议将其用于此器件。

    谢谢!

    Bryan