请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：SN74CBTLV16292 主题中讨论的其他器件： TS3DDR3812
您好！
我想获取 SN74CBTLV16292的 S 参数模型。 在系统级 S 参数分析中、我需要将其与电路板互连相结合。
谢谢、
－Shriram
您好！
我想获取 SN74CBTLV16292的 S 参数模型。 在系统级 S 参数分析中、我需要将其与电路板互连相结合。
谢谢、
－Shriram
Shriram、您好！
我们在这里有一个 HSpice 文件： "="">HTTPS:/www.ti.com/product/SN74CBTLV16292 " title="SN74CBTLV16292">www.ti.com/.../SN74CBTLV16292
如果您无法运行 HSpice 文件、我们有一个替代选项。 我们没有 SPICE 模型 、由于器件的使用年限、我不确定模型何时/是否可用。-但为了模拟信号上的通道性能、可以使用简化模型。 请参阅以下内容：
多路复用器的通道如上所示建模。 然后、您将最靠近您的应用(或者、如果您进行参数扫描、则为该范围)的 Ron 放入其中、电容器是 I/O 电容器-它们连接到接地端。 添加额外的时间控制型开关也有助于对器件中的开关基础知识进行建模。
如果您有其他问题、请告诉我！
最棒的
Parker Dodson
Shriram、您好！
阻抗变化将取决于频率- TS3DDR3812的寄生电容较低、因此与 导通电容略高的 SN74CBTLV16292相比、它们在更大的频率范围内具有高阻抗。 它们在低频下的表现类似、但由于高频信号导致寄生电容接近较低阻抗、器件上的信号衰减会更大-由于两个电容都较低、因此不应存在很大的差异-但 TS3DDR3812是 在大多数情况下、最有可能提供最低的信号衰减。
如果您想在仿真中包含封装详细信息- IBIS 模型提供了一些封装的封装参数。 引脚的范围如下、顶部注明了封装名称：
您可以将这些添加到仿真结果中、以包含通用封装参数。 SN 器件的封装比 TS3器件的封装差一些。 有关如何在仿真配置文件中包含封装参数的信息、请参阅 E2E 帖子 、其中我包含了通用模型+封装寄生效应。 如需更准确地测量引脚、您还可以在产品页面的 IBIS 模型中找到它。
请告诉我是否可以为您提供任何其他帮助！
最棒的
Parker Dodson
