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器件型号：TS12A12511 主题中讨论的其他器件：TS3A44159、
大家好、
我对此部分有疑问。
1.我们的器件中的这一部分是否规避了本应用手册中此处提到的过流消耗问题： 
它提到"德州仪器有多个模拟开关、这些开关被设计成接受来自低压微处理器的控制信号并解决过多电流消耗问题。 •具有低控制输入阈值的模拟开关–这些器件具有控制输入、旨在使开关阈值电压低于 V+的一半。 当控制信号从低压 GPIO 输入时、此特性有助于减少电流消耗。 但是、控制输入阈值电压取决于 V+。 如果 V+连接到 VBATT、则阈值会随着电池放电而降低。 TS3A44159是一款使用此类低压控制输入的模拟开关。" 由于该器件的使能高阈值是电源的 x1/3、因此该器件的过流消耗是否会成为问题？ 我猜不是。
2.在同一份文件中，它提到了"静态电流消耗"。 是否仅在器件关断时的泄漏电流？ 那么、对于该器件、它将是50nA、是这样吗？
谢谢！
劳伦
