请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TS5A3159 大家好、
我们希望使用 TS5A3159来控制两个电阻器选项。
我们发现、如果 V+低于1.65V、内部 MOSFET 将是一个大电阻器(线性区域)、您能告诉我我我的理解是否正确吗？
如果 V+<1.65V、您能否告诉我可能的电阻或计算(等效电阻器)。
罗伊
+情形、
如您所见、当 Vsupply 低于正常电压(1.65V)时、我们发现 LDO Vout 为漂移、看起来等效电阻器已更改。 我知道这是异常操作、但我们想知道为什么会出现这种结果。
罗伊
您好、Roy、
感谢您的提问。 您的理解是正确的；开关的内部架构是 MOSFET。 与 MOSFET 一样、较低的电源电压会导致较高的内部电阻(Ron)。 您可以参阅数据表中的下表、了解不同电压下的额定 Ron。
通过遵循数据表中包含的参数测量信息、测量/计算开关的 Ron、您可以更详细地了解所选电压电平下开关的 Ron：
此致、
Kate
