尊敬的团队:
我计划使用 TS3DDR4000 - TS3DDR4000 12位1:2高速 DDR2/DDR3/DDR4开关/多路复用器。
我的要求是点击 DDR4地址和命令行。
因此、我计划将地址和命令行从主机连接到输入 B、并将地址和命令行从存储器连接到输入 A。我将在 PCB 中对 B 和 C 进行内部短路、并将输出 C 用于我的探测目的此设计拓扑是否起作用。 或者、您是否有任何其他建议用于封装高速线路以进行探测。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
尊敬的团队:
我计划使用 TS3DDR4000 - TS3DDR4000 12位1:2高速 DDR2/DDR3/DDR4开关/多路复用器。
我的要求是点击 DDR4地址和命令行。
因此、我计划将地址和命令行从主机连接到输入 B、并将地址和命令行从存储器连接到输入 A。我将在 PCB 中对 B 和 C 进行内部短路、并将输出 C 用于我的探测目的此设计拓扑是否起作用。 或者、您是否有任何其他建议用于封装高速线路以进行探测。
Rohith、
我没有设计拓扑来探测没有残桩的信号路径。 我相信您可以实际执行此操作、因为总是会有残桩、但有些残桩可能比其他残桩更小。 IC 内部仍有一个存根、但 与 PCB 迹线的比例不同。
您尝试仿真什么性能? I/O 缓冲器信息规范(IBIS)模型 对于此 类无源器件无效(无缓冲器)。 以下 e2e 文章中提供了 s 参数模型、或 TI.com 产品页面上的 SPICE 模型。
信号路径是一个 NFET、其栅极由电荷泵偏置。
谢谢、
Adam
谢谢、
Adam
谢谢、
Adam