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[参考译文] TMUX1104:基于 FET 的开关的漏极和源极电容

Guru**** 2017950 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/811967/tmux1104-drain-and-source-capacitance-of-fet-based-switches

器件型号:TMUX1104

您好!

我正在进行一项设计、其中需要将输入脉冲切换为两种方式、并且负载电阻非常高、大约为1.5k 欧姆至5k 欧姆。

由于负载阻抗较高、我假设由于 BW 限制、它可能会对脉冲形状产生一些问题。

在我介绍开关仿真工具部分时、我找不到任何 TINA 模型或 SPICE 模型。 因此、我想用源极和漏极的等效电容 w.r.t 对此进行仿真 和 TINA 中的负载电阻。 我在这里附上了 TINA SPICE 原理图。 我假设数据表中提到的 CCON 和 Cmon 电容为 w.r.t IC GND、但没有具体提到这些电容是如何测量的-在这个假设中、我是否正确? 通常、对于 FET、电容以 CGD、CDS 和 CGS 表示、但在这里、我没有获取这些数据。

我可以减小负载电阻并根据需要获得脉冲形状、但仍然有疑问的是如何测量这些电容。

谢谢!

Mandane2e.ti.com/.../Output-Signal-gen.TSC

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    曼丹

    数据表中的导通状态电容以接地为基准、因此您可以对仿真进行正确的假设。  数据表中所述的值包括漏极和源极电容、因此最好在输入和输出端使用17.5pF 电容。

    谢谢、

    Adam