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[参考译文] CD4066B:如何绕过 CD4066B 的两个通道时的泄漏电流

Guru**** 2388640 points
Other Parts Discussed in Thread: CD4066B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/860697/cd4066b-how-about-the-leakage-current-when-bypass-two-channels-of-cd4066b

器件型号:CD4066B

团队、

我们遇到了客户的两个困惑、需要您在此提供建议:

VDD=5V、VSS=-5V、1~6 Ω 引脚全部连接到 AGND、控制 AI_SEL 信号以控制 CD4066B 开关 AGND 或 VGND、AI_SEL 信号为5V/-5V。

该应用将产生的泄漏电流如何? B/C 通道连接到 AGND。  

2.如果 IN2和 IN3也需要连接至-5V、即使是绕过 B/C 通道? 如果没有必要、它是否会影响泄漏电流? 从客户的测试结果来看、如果他们将 IN2/3连接到 AGND、则泄漏电流会比连接到-5V 高得多。

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Lucas、

    如数据表中所述、每通道的关断泄漏电流应为10pA。 您测量的是什么?

    Hire 泄漏可能具有不同的来源、例如保护二极管或 CMOS 开关中的电压。 您能精确测量的泄漏电流吗?

    如果它们必须将 IN2/3连接至-5V、这是否是一个问题?

    此致、

    Ambroise

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    您好、Ambroise、

    将 IN2/3连接至-5V 不会是一个大问题、但如果 连接至 AGND 而不是-5V、它为什么会对泄漏产生如此大的影响?

    谢谢。  

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    您好 Lucas、  

    这取决于多路复用器的确切内部结构。 MOSFET 根据设计可用于+-7.5V 电源、因此该结构与其他典型0-5V Vcc 多路复用器不同。 根据施加到晶体管栅极/体上的电压不同、晶体管或多或少会泄露到栅极。

    此致、

    Ambroise