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[参考译文] SN74CB3Q3125:SN74CB3Q3125隔离特性

Guru**** 2380690 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74CB3Q3125
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/586090/sn74cb3q3125-sn74cb3q3125-isolation-characteristic

器件型号:SN74CB3Q3125

您好!

我正在尝试了解在 开关关闭状态下 SN74CB3Q3125输出端出现一些短路电压尖峰的原因。  

红色迹线:开关的输入

金迹线:使能信号

绿色迹线:开关的输出信号(放大的信号)

第一次电压切换为1.8V、 第二次电压切换 为3.3V、 第三次电压切换 为5V。  

在5V 电压切换上升期间、开关输出显示~1V 尖峰。 我的印象是、当开关关闭时、我会得到更好的隔离...

提前感谢您的反馈。

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    您好、Yohan、

    要正确回答您的问题、您能否提供电路的一些说明? 它是在性能板、PCB 还是试验板上? 您能否发布您如何连接此设备以及如何驱动它?

    感谢您提供额外的详细信息。

    John Louie
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    这是无源开关的简化模型。 模拟输入和输出之间始终存在寄生馈通电容。 因此、当您快速切换模拟输入时、无论开关是关闭还是打开、都会在模拟输出端观察到一些毛刺脉冲。  

    毛刺脉冲峰值电平取决于1.切换模拟输入的速度。 模拟输出侧的 RC 负载。 在模拟输出端、快速斜坡模拟输入的毛刺脉冲峰值将高于慢速斜坡模拟输入的毛刺脉冲峰值。 至于 RC 振荡、更高的负载电阻和更低的负载电容 、或较大的 R、较小的 C、将导致更高的毛刺峰值。

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    您好!
    感谢您的反馈。 不过、我使用的组件是 FET 开关。 我希望通道在关闭时完全打开。

    Yohan
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    您好!

    感谢您的回答。 遗憾的是、我无法发布设计的原理图。 我能够告诉您的是、SN74CB3Q3125有四个输入。 每个输入由智能卡驱动器(基于5V)发出的信号驱动。 开关的输出连接到智能卡芯片的连接器。 我试图阻止智能卡芯片看到驱动程序执行的连接采样、如示波器图所示。 VCC 通过旁路电容0.01uF 连接至3.3V。 此开关可耐受5V 输入。 我将 EN 信号上拉至3.3V、因为它们由 MCU 控制。 PCB 是一个专业制造的双层板。 我自己组装了原始 PCB。

    我不理解的是、如果器件基于 FET、当高阻抗时、FET 通道应断开、从而提供隔离。 为什么在开关处于关断状态时看到输出电压?

    谢谢

    Yohan
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    您好、Yohan、  

    通过使用电气开关、您将始终在模拟输入和输出之间具有有限的隔离性能。 建议通过添加额外的电容器来降低信号边沿速率。 边缘速率稍微降低通常会带来三个好处。 首先、它将为您提供更好的 EMC 性能。 其次、信号链和接地线路上的振铃效应将显著降低。 最后但同样重要 的是、串扰或输入/输出隔离性能将得到显著改善。  

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    您好!

    感谢您的反馈。 抱歉、我的问题仍未得到解答。 所提供的答案是非常通用的。 我已经阅读了网站上提供的所有文档、但我想知道为什么该组件不能提供更好的隔离、尤其是在我了解 FET 背后的半导体物理原理的情况下。 我经常会得到5V TTL 信号的1V 馈通。

    谢谢

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    您好、Yohan、

    很抱歉、您的问题未得到正确回答。 如 FET 所知、当开关打开时、信号正向路径为源极到漏极。 当开关关闭时、仍有一条从 CGS 到 CGD 的信号正向路径。 另一个前馈路径是从 CSB 到 CDB。 当开关关闭时、两个电容信号正向路径仅在高频下存在。

    系统中存在1V 峰值毛刺脉冲是因为1. 5V TTL 信号开关边沿过快;2. 输出侧的负载阻抗过高。 例如、如果 TTL 在5ns 内从0驱动至5V、并且负载阻抗为数千欧姆、则在输出端看到5V 峰值毛刺将不会感到惊讶。