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器件型号：TS3A27518E-Q1 我的客户考虑将 TS3A27518E-Q1 用于 一个新项目。
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我们能否提供 IBIS 模型用于仿真？
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我们能否确定 COMx 和 NCx 引脚之间的传播延迟时间？
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我们能否提供有关多路复用器通道内部结构的详细信息？ (意思是：多路复用器是如何构建在晶体管级上的？)
我的客户考虑将 TS3A27518E-Q1 用于 一个新项目。
我们能否提供 IBIS 模型用于仿真？
我们能否确定 COMx 和 NCx 引脚之间的传播延迟时间？
我们能否提供有关多路复用器通道内部结构的详细信息？ (意思是：多路复用器是如何构建在晶体管级上的？)
Shashank,
•我们能否提供 IBIS 模型用于仿真？
通过单击工具和软件选项卡、可以在 TI.com 的产品文件夹中找到仿真模型
•我们能否确定 COMx 和 NCx 引脚之间的传播延迟时间？
我们没有数据表中指定的传播延迟。 这些类型的器件是无源 FET 开关、没有任何缓冲、因此传播延迟非常低、小于100s 的 ps 范围、因为信号从漏极传输到 FET 源极只需要一段时间。 传播延迟为何对于该系统至关重要？
•我们能否提供有关多路复用器通道内部结构的详细信息？ (意思是：多路复用器是如何构建在晶体管级上的？)
TS3AXXXX 器件是具有 NMOS FET 和 PMOS FET 并联的传输栅极开关。 您可以在数据表中的 Ron 与输入电压间的关系图中看到该架构。 当源极上的输入电压接近 Vcc (栅极)电压时、电阻保持平缓。 如果器件只是 NMOS FET、则随着源极上的输入电压接近栅极电压 <Vt turning off the FET making the signal path Hi-Z. 、电阻将变得越来越高 本应用手册 详细介绍了3种不同的开关架构及其优势
