[参考译文] SN74CBTLV3383：A1-B2路径上的数据损坏

最后一段的格式问题：

到目前为止已测试了两个实验：

1.在 A2-B1路径上停止数据传输时，问题就会消失。 这可以可靠地阻止故障
2.将221 Ω 下拉电阻器更改为0 Ω/be 似乎可以解决问题
答：它们将切换回221欧姆、以查看问题是否再次出现
B.注意：有一个报告的案例称、"问题自行解决"、因为他们只是尝试探测线路

Cassidy、   

此器件具有200MHz 的带宽、因此您不应看到40MHz 信号的衰减过多、因此我同意这可能不是到闪存的信号路径上的 VIH/VIL 问题。

对于 Vcc = 3.3V 的器件、OE 引脚上的 VIH 和 VIL 分别为2V 和0.8V。

在迄今测试的实验中：

1.停止数据传输会导致问题消失？   您是否认为存在串扰问题？  在发生故障和未发生故障的情况下、您是否有 A1、B1、A2和 B2上的数据示波器图？  您还可以尝试从电路板上移除 IC 并短接信号路径、以查看问题是否消失。  这将有助于确定串扰是通过 IC 还是通过电路板。

2.您有一个非常强的下拉电阻器，您可以将其更改为更强的下拉电阻器，通过0欧姆电阻将其拉至接地 ，这将始终启用开关。  我觉得奇怪    的是、将这个下拉电阻器改变220欧姆可以解决这个问题。   这有多重复？   您是否有一个示波器屏幕截图、了解这两种情况下该节点上的电压是多少？  

a) 看到多少个电路板出现了此故障特征？  

b) 更换 IC 是否解决了此问题？    移除的器件是否会导致良好的电路板发生故障？

谢谢、

Adam   

我们确定/be 引脚对故障率没有影响。

但是、我们知道 IC 中的串扰会在一定的范围内导致故障(如果我们用蓝线连接、我们不会出现故障)。  捕获故障发生的精确时刻很困难、我们捕获到故障的时间似乎闪存实际上在计时不正确的数据(但测试表明这很可能是因为写入操作期间发生了错误)。 在进一步测试后、我们看到一些电路板出现读取故障、而另一些电路板出现写入故障。 写入故障的发生频率比读取故障的发生频率要高得多。

闪存 IC (连接到开关的 B 侧)具有非常强的驱动强度/快速上升沿、当同步多条线路上升沿时、它们会导致大量串扰。 通过0欧姆将开关的引脚3和4连接到 GND 已消除了到目前为止所有情况下的所有误差。 我们怀疑、将这些引脚连接到 GND 有助于减弱其系统中的一些串扰。 我们还建议增加通信线路上的串联电阻、以帮助减缓闪存的上升沿。

我应该补充：之前的闪存在另一个设计中被成功使用。 该闪存使用的是不同的(也较慢)过程。 目前正在努力确定闪存器件之间的实际差异以及这可能对开关和整体设计产生的影响。