请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TMUX7462F 您好！
我根据以下草稿将 TMUX7462F 集成到系统中、作为高于4V 的电压保护：
根据数据表、一旦 Vsource 超过4V (Vfp + 0.7Vth 时为3.3V)、我的预期是开关 SW 应断开。 但是、我注意到、在软件打开之前、我需要在 Vsource 中施加大于14V 的电压。 当电压介于4V 和14V 之间时、S1被削波至约4V。 在该区域中、大量电流流经22kOhm 电阻器进入 S1。 该电流在过压 µA 触发之前达到约470 μ A、远高于数据表在室温下规定的任何漏电流。 再次 µA 修改数据表后、我注意到 D1和 VFP 之间的内部二极管、它可能会向 VFP 灌入电流、直到达到突破性程度(显然约为470 μ A)。 然后、Vsource 的任何增加也会增加 S1的电压、从而触发过压状态。 
您能否确认、这种行为是正确的、我没有损坏的芯片？ 此外、数据表中是否有任何章节遗漏了、或者我的假设是否正确、二极管导致了这一"问题"？
对于我的应用、我需要 S1 (低于22k Ω 电阻器)的电压与 Vsource 一样高。 是否可以使用此设置执行此操作？
感谢您的支持！
此致、
大卫
