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[参考译文] TS5N412:TS5N412PW

Guru**** 2380640 points
Other Parts Discussed in Thread: TS5N412, SN74CBT3257C
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1379325/ts5n412-ts5n412pw

器件型号:TS5N412
主题中讨论的其他器件: SN74CBT3257C

工具与软件:

这适用于即将停产的器件。  我们目前使用的是 Onsemi (74FST3257DTR2)、在数据表中、与 TI (TS5N412PW)相比、似乎有了很好的变化。

在测试期间、我们看到它的行为是不同的。  为了清楚地解释,我会展示一些剪刀,然后再谈论它们:

特写:

特写2:

这是测试:

在本例中、我将重点介绍1B1、1B2设置为输入、1A 设置为输出。

我们将 OE 设为接地以保持活动状态、将方波设为 S 以在输入之间切换。

我们针对两块 PCB 板进行此设置。  一个使用 ONSemi、另一个与 TI 一起使用即可进行并排比较和测试。

1B1输入是一个单波。

1B2悬空(内部上拉电阻、如原理图所示)

绿色输入为 S

黄色输入为1B1

蓝色是 ONSemi 输出1A PCB1

紫色~为 TI 输出1A PCB2

得出它们工作不同的结论。

问题:  

1b1符合预期

1B2悬空(光上拉)

当 s 切换到1B2时、预计它将处于悬空输入并且是平坦的。  我 可以理解、由于两个器件之间的晶体管噪声、直流失调 电压有一点偏、但斜率在 TI 产品中看起来好像在上升。  我不明白这一点。

您能解释一下直流偏移增加吗?  我想听到一个想法和/或另一个测试来证明差异的原因。  我想在今后的努力中首先对此进行测试。  此外、如果在上拉电阻器上简单更改电阻器、这将很容易做到。

在次要说明中!

如果还有另一个直接替换选项、我也希望将其添加到我的选项列表中。

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    74FST3257使用普通 NFET、TS5N412具有电荷泵、支持接近5V 的信号电压。请参阅 [常见问题解答] TI 开关和多路复用器使用的架构类型是什么?如何知道我的器件内部具有哪一种?

    与74FST3257最相似的开关是 SN74CBT3257C。

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    首先感谢您提供的信息。  

    我认为这意味着、由于我们在 5V 时使用上拉电阻、ron 会更强、因此通过直 NMOS 更好地切断它。  电荷泵基本上 VGS 注入、因此 ron 强度较低、因此部分 Voltage 进入 o 示波器上的紫线。

    为什么它不能从~5V 开始、而在~5V 结束时、当它始终悬空(上拉至5V)时、我仍然有一点蔬菜。

    摆幅不应超过4V。  更好的采购器件是  SN74CBT3257C、因为它具有相同的引脚排列(并希望布局相同)、但可以更好地利用整个摆幅。

    您是否认为浮动侧与这不同的部分相当水平?

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    是的、 74FST3257 和 SN74CBT3257C 的工作原理基本相同。

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    我发现了一条线路短路。  感谢您的帮助