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[参考译文] MPC506:MPC506从+/- VIN 获取的电流显著增加

Guru**** 1751730 points
Other Parts Discussed in Thread: MPC506, SN74LXCH8T245
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1412899/mpc506-mpc506-dramatic-current-draw-from---vin

器件型号:MPC506
主题中讨论的其他器件: SN74LXCH8T245

工具与软件:

大家好、我有2个并联的 MPC506器件、可一起控制地址位、允许相反的使用5V 逻辑电平通过32个模拟输入通道进行定序。  我使用+/-13V 和5V 基准电压为器件供电。  我看到我的系统+13V 电流和-13V 电流每四个多路复用器上的地址发生显著变化。  电流增加和减少的模式与通过第一个多路复用器进行 I 序列相同、然后重复用于第二个多路复用器。  我的所有模拟输入均被驱动且处于+/-5V 范围内。  我可以更改这些值或将其设置为零、并且与这种电流消耗没有相关性。  从最低到最高的电流消耗、变化约为20mA、远高于多路复用器的额定值、我们确实看到芯片发热。  多路复用器输出连接到运算放大器、输出会按预期在通道之间阶跃、看起来很干净。  正常运行期间、I 以每通道32ms 的速率对通道进行单步执行、并且不存在压摆率或稳定问题。

感谢任何帮助。  如果您对电流变化如此之大有任何想法、我非常感谢您的消息!  如果需要、我可以发送更多设计细节。

谢谢!

Ryan

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    Ryan、您好!

    您能分享一个原理图吗?

    谢谢!

    近红外  

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    我已经附上了相关页面。  请告诉我您的想法。  顺便说一下、所有输入通道都在+/-5V 范围内、大部分通道都接近0V。  即使选择了这些0V 通道、也会出现高电流条件。

    e2e.ti.com/.../CCDH-GSE-Mux-Schematic.pdf

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    Ryan、您好!

    感谢您分享原理图。 我看不出有任何问题。  

    您要在哪里测量电流? 器件的输入引脚上是否这么高?

    谢谢!

    近红外  

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    尊敬的 NIR:

    感谢您的观看。  我也没有看到任何奇怪的东西。  我们注意到系统+/-13V 电流在我们所使用的实验室电源上跳跃、因此我们使用电流探头来查看更详细的细节、并且我们看到这些125ms 的步长与我们的采样率/4一致。  我们确认了对应于地址变化的步骤、并且能够对扫描的通道进行编程、包括设置单个通道。  例如、我们看到 45mA 上前4个通道(整个电路板)的主 PS 上的电流、而第二个4个通道的电流将跳至64mA。  如果我们将通道设置为0、1、2或3、我们将在 PS 处获得45mA 的恒定非步进电流、如果将电流设置为4、5、6或7、则 PS 电流将跃升至64mA。  当我们移动到第二个多路复用器时、会重复这个完全相同的模式(第一个复用器的 EN 变为0、第二个复用器的 EN 变为1)。

    我们在多路复用器的+/-13V 引脚上安装了 RC 滤波器、帮助降低噪声。  遗憾的是、R 位于电路板的背面、因此我们尚未在其两端进行测量、但如果我仅在交流模式下使用示波器的电源引脚处、我会看到这些相同转换中的电压阶跃和衰减。  此外、使用 IR 成像仪时、如果我们驻留在其中一个高电流通道上、并切换到其中一个低电流通道、我们可以看到两个多路复用器一起发热或冷却、即使其中一个通道已禁用。

    不确定这是否有帮助。  我感觉我们正处在更换零件的时刻、但这是我们看到的第二个2单元。  我觉得器件肯定都是同时购买的。  它们上面有旧的 Burr Brown 标识。  这是否意味着他们是在80年代制造的,还是他们还在使用这种工具呢?

    再次感谢您的观看。

    Ryan

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    Ryan、您好!

    感谢您的详细介绍确实很有帮助。  

    您是否可以用另一对 MPC506更换两个部件、并检查是否出现相同的问题?  我想知道这是与系统相关的问题、还是与器件相关的问题。

    谢谢!

    近红外  

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    大家好、我曾尝试在整个序列中一直禁用一个多路复用器、但我们仍然看到相同的4通道电流阶跃、并且在电流通道较高时两个芯片仍然发热。  我们将提出其中一个输出引脚、看看这是否有帮助、只是做一些可以尝试的事情。  之后的步骤将会替换它们、但即使我们看不到第一个器件、我确信发生了这种情况、所以我认为这是一个设计问题。  逻辑输出略高于 Vref 是否会导致出现任何问题?  我们的全部由同一个稳压器驱动、但断开我们的外部 Vref (5V)也可以尝试。  所有地址位和使能均来自电平转换器(SN74LXCH8T245)。  当我们对板进行更改时、我会报告情况。

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    Ryan、您好!

    可能会出现这种情况、您可以尝试将 Vref 悬空或连接到地以查看是否有变化。 此外、我认为值得尝试将 Vref 增加到10V、将逻辑电压增加到6V、以满足 Vah MOS 驱动器的阈值并检查行为。  

    谢谢!

    近红外  

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    大家好、NIR、我们终于成立了晶圆厂、提起了 Vref 引脚、使其悬空。  当前步进已停止、部件现在正在获取预期电流、并且仍正常运行。  Vref 上有 P5V0A 电源、而电平转换器上有 P5V0D 电源、用于驱动多路复用器的地址和使能位。  它们来自相同的线性稳压器、但使用铁氧体磁珠隔开。  其中任何一个上的电流都不大、但它们可能略有不同。  您是否解释了这会导致这种行为的原因?  如果地址位的值是二极管压降或高于5V、我可能会有所期望、但事实并非如此、并且内部基准电压为5V、我不清楚使用它为何可以解决问题、除非它实际上更高。  我无法计算 MOS 电平、但如果我们需要 Vref 略高于地址位、我确实使用了稳压器的5.7V 输入电压。  我仍然希望能够更清楚地了解发生这种情况的原因。

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    Ryan、您好!

    由于您的逻辑电平为5V、因此 Vref 需要 根据数据表保持开路(悬空)。 您超出了器件限制。 在根据您的测试结果深入研究数据表并了解器件的行为之后、我认为情况似乎是这样。   

    我假设高电流和增加的温度是击穿电流的结果。   当 CMOS 输入介于其高电压和低电压之间时、会有效导通 CMOS 结构中的两个 MOSFET。  

    我们提供了一个 有关此主题的常见问题解答 、其中包含了更多信息。

    谢谢!

    近红外  

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    哇哦、就在这里、谢谢!  我不得不说、对于这么重要的参数、它隐藏得很好。  我从不想查看访问时间图并查看注释。  嗯、我们把问题归咎于 Burr Brown。   

    这就是我们所做的、现在运转良好。  感谢您与我一起处理此问题。  提供了很大的帮助和很好的回应。

    Ryan