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器件型号：CC2630 你好。
我的客户正在其待机时间较长的应用中使用 CC2630。
有些产品有长时间待机后无法唤醒的症状。
`s 电路审核、评估板的 Δ Σ 电路和客户电路在 VDDR 周围具有不同的去耦电容值。 (下图是`s VDDR 的原理图。)
如果 VDDR 周围的去耦电容值与参考原理图不同、CC2630是否可以在待机模式下挂起？
谢谢你
你好，Kim 先生
很抱歉、回复和更新时间太晚了。
`s、我怀疑去耦电容、因为除了 VDDR 去耦电容外、客户的原理图和参考原理图几乎是相同的。
症状看起来不是很好、但我的客户说、症状出现时、VDDR 电平大约为100mV、流耗为70uA。 (待机模式下的平均电流消耗为1~2uA。)
当我`s`s 和 CC2650EM 的 VDDR 去耦电容器的再充电时间时、客户电路板的再充电时间为1.3s、CC2650EM 套件的再充电时间为288ms。
此外、VDDR 电平比 CC2650EM 套件低0.4V。
我在《技术参考手册》中找到了以下句子、并与客户分享了这一句话。
我很想得到客户的反馈。
谢谢你。
