您好!
我正在处理的器件似乎有一个与该问题非常相似的问题:
上面提到的主题是锁定的、没有提到任何解决方案。
我们正在使用 OSAL NV 服务来管理6个用于存储的闪存页、我们可以观察到另一个页中至少有一个字要被覆盖、从而导致代码发生故障。
用于访问闪存的 hal 代码是旧的(2010)、可能与 CC2530数据表不兼容。 对于示例、数据表建议擦除关键段下的页、而 hal_flash.c 中的代码不会擦除。
是否有此代码的任何更新或已知问题。
非常感谢。
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您好!
我正在处理的器件似乎有一个与该问题非常相似的问题:
上面提到的主题是锁定的、没有提到任何解决方案。
我们正在使用 OSAL NV 服务来管理6个用于存储的闪存页、我们可以观察到另一个页中至少有一个字要被覆盖、从而导致代码发生故障。
用于访问闪存的 hal 代码是旧的(2010)、可能与 CC2530数据表不兼容。 对于示例、数据表建议擦除关键段下的页、而 hal_flash.c 中的代码不会擦除。
是否有此代码的任何更新或已知问题。
非常感谢。
Aleksandar、
感谢您分享这个非常有趣的主题。
它有很多变化、在进行优先级测试之前、我可能会考虑将它们分成几个部分:
*检查 FCTL 的 BUSY 位肯定是必须的。
*虚拟 DMA 传输是一个大锤子、但听起来很有意义。
*检查 VDD... 为什么不呢? 我不能相信这可能是我的问题的原因、但我一定会尝试、至少在 Debug Builds 中是如此。
我从未在为 NV 数据保留的区域遇到过闪存损坏、我的问题是位已在外部擦除。
在这个线程中、我们在这里有很多有趣的东西。
我是 Laurentz 引述的帖子的所有者。
我正在尝试关注与闪存损坏相关的每个帖子。 人们通过个人信息与我联系、讨论腐败事件。
Ryan Brown1 (3460875)
根据我的理解、Laurentz 还发生了突发腐败事件。 他对 ZStack 中提供的"hal_flash.c"库提出了一个问题、该库不同于 CC2530数据表中提供的建议代码。
数据表中的代码禁用全局中断、而 ZStack 不禁用全局中断。
现在、我们有很多不同用户抱怨闪存损坏、总之、现在我们在芯片的 DMA 中遇到了潜在的故障。
由于不使用 DMA 就无法写入闪存、因此这些问题是相关的。
自2016年以来、德州一直在避免这一问题。 这是一个真正的问题,有相当多的案件,但对此没有采取任何行动。
Aleksandar Majdak34 (3607697)
请提供有关您的问题的更多信息吗? 是什么促使您修改 HalFlashWrite()函数?
您如何首先意识到 DMA 中存在问题?
请告诉我们您进行了哪些测试以及得出的结论吗?
@TI 员工
不要关闭未完全回答的线程。 您使我们的用户难以在论坛中找到答案并关注相关主题。
您好、Ryan、
我不想窃取 Laurent 的线程、但请查看以下线程:
https://e2e.ti.com/support/wireless_connectivity/zigbee_6lowpan_802-15-4_mac/f/158/t/634787
您能告诉我为什么他们被关闭了吗? 您能看到在这些主题上获得答案的难度有多大? 没有一项德州建议得到解决、Ta12012向我发送了一封个人邮件、通知我他将密切关注此问题。 这是在10月、但我们在3月、德州刚刚要求我分析一些有缺陷的电路板。 我正在安排发货、但此分析需要多长时间? 优先级是多少? 如果没有解决方案、我应该怎么做? 没有要遵循的正式 TT 分配、也没有官方解决方法。 Aleksandar 指出了一个问题、没有人要求提供详细信息。 通过上述所有陈述、我知道 TI 正在避免这一问题。
我真的想错、但最终我确实认为整个闪存损坏和 DMA 问题将生成勘误表、但到那时此 SoC 可能已过时。
幸运的是、您定期回复此主题。