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[参考译文] CC2651P3：具有 VDDR 偏置的+10dBm PA 配置

admin
Guru**** 656470 points
Other Parts Discussed in Thread: CC2651P3, SYSCONFIG, Z-STACK, SIMPLELINK-CC13XX-CC26XX-SDK
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/zigbee-thread-group/zigbee-and-thread/f/zigbee-thread-forum/1179951/cc2651p3-10dbm-pa-configuration-with-vddr-bias

器件型号：CC2651P3
Thread 中讨论的其他器件： SysConfig、 Z-stack

我们的设计基于 CC2651P3、采用 RKP 封装和+10dBm 输出电平。 TI 从硬件角度审查了此设计

我们将测量来自 PA 的 TX 功率。 我们使用以下 PA 表条目：

｛10、RF_TxPowerTable_HIGH_PA_Entry (38、1、1、39、 16)｝、// 0x104F66

使用此条目、实际 PA 输出约为+3dBm (预期为+10dBm)。

请注意、在 CC2651P3数据表(和 launchpad 原理图)中、它显示了使用+10dBm 时、PA 路径应由 VDDR 偏置。 当使用+20dBm 时、它由 VDDS 偏置。 默认情况下、LaunchPad 由 VDDS 偏置、但它可以选择由 VDDR 偏置、方法是将 R6移动到位置 R7。 我们的设计由 VDDR 偏置、因为我们使用的是+10dBm。

作为测试、我检查了 LaunchPad 的偏置从 VDDS 更改为 VDDR 时的行为。 我使用了上面显示的+10dBm PA 表条目。 当由 VDDS 偏置时、测得的输出功率为+10dBm。 当由 VDDR 偏置时、测得的功率约为+3dBm。 因此、我能够在 launchpad 上重现低 TX 功率问题。

当 PA 被 VDDR 偏置时、似乎需要对其进行不同的配置才能正常工作。 但是我找不到任何有关这方面的文档。 请提供建议。

此致、
Andy

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    TI__Guru**** 656470 points
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    尊敬的 Andy：

    我将在实验室中测试该内容并返回给您。

    此致

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    您好！

    您对此有任何更新吗？

    谢谢、
    Andy

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    尊敬的 Andy：

    您能否使用 SmartRF Studio (至少7.27.0)检查硬件并查看您获得的功率。

    我刚刚测试了一个 LP、在设置为+10dBm 时看到的功率为8.5dBm。 我正在尝试弄清楚导致1.5dB 下降的原因。

    此致

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    TI__Guru**** 656470 points
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    借助 SmartRF Studio 和(LP_CC2651P3、10dBm)、功率更高(+7.6dB)。 如何在固件中实现此配置(当前使用 rfDiagnostics 示例)？

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    尊敬的 Andy：

    您还必须更改 LP 上的组件以获得10dBm 选项。 以下是原理图。

    此致、

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    TI__Guru**** 656470 points
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    这些是我们使用的组件值。 目前的主要问题是、我们只能使用 SmartRF Studio (JTAG 连接)实现合理的功率级别。 对于实际操作、我们需要在固件中控制无线电、而不是通过 JTAG。

    我将在这里重复我的上一个问题：

    --

    借助 SmartRF Studio 和(LP_CC2651P3、10dBm)、功率更高(+7.6dB)。 如何在固件中实现此配置(当前使用 rfDiagnostics 示例)？

    --

    如果你能够回答上述问题，至少这将使我们取得一些进展。

    此致、
    Andy

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    TI__Guru**** 656470 points
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    尊敬的 Andy：

    在 rfDiagnostics SysConfig 中、您是否选择了"RF Design"->"基于射频设计"更改为 "LP_CC2651P3、10dBm"、转至"显示电路板视图"->"使用定制板"、并将"定制"->"IEEE"->"TX 功率"更改为10dBm？

    SmartRF Studio 能够导出它使用的无线电设置。  如果 rfDiagnostics 项目生成的 ti_radio_config.c 设置结果不佳、则应将此文件排除在编译之外、并尝试改用 SmartRF Studio 版本。  我注意到、与 SysConfig 相比、覆盖表在10dBm 下的变化很小、这可能会对您的评估产生影响。

    此致、
    Ryan

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    您好、Ryan、

    10月17日、在"CC2651P3：DIO_21"主题中、您声明如下：

    --

    不应使用  LP_CC2651P3_10dBm 射频设计选择、请保留默认 的 LP_CC2651P3 版本。   随附的是 ti_radio_config 更改、我认为生成6-10 dBm PA 表是必要的。  

    --

    因此、我没有选择 LP_CC2651P3、10dBm、因为您说"您不应使用 LP_CC2651P3_10dBm 射频设计选择"。

    此致、
    Andy

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    尊敬的 Andy：

    这绝对是我在 之前的 E2E 主题中所说的 内容、我应该已经澄清了自那时以来发生的变化。  我曾特别想到前面 E2E 主题中的 Z-Stack 应用示例、这些示例没有与 rfDiagnostics 相同的 SysConfig 选项。  我也只是在考虑 PA 表、而不是考虑覆盖。  此外、 10 月28日发布的 SIMPLELINK-CC13XX-CC26XX-SDK v6.30对 CC2651P3软件设计进行了一些改进。  因此、您能否评估 v6.30 SDK 上的 rfDiagnostics 并让我知道使用 LP_CC2651P3 10dBm 设计是否会改善您的 TX 输出行为？  如果没有、请更改 ti_drivers_config.c 以匹配 SmartRF 设置。  对于我可能造成的混乱或开发时间损失、我深表歉意。

    此致、
    Ryan

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    您好、Ryan、

    我将 rfDiagnostics 项目导入到 SDK 6.30中、这似乎主要解决了低功耗问题。 但是、功率级别仍然是3dB 过低。

    您能否解释在使用+10dBm 时使用不同偏置电平(VDDR 与 VDDS)和不同射频组件值的原因？ 当我使用为 VDDS BIAS 配置的 Launchpad 并将其设置为+10dBm 设置时、我将获得+10dBm 输出。 到目前为止、我还没有看到在 VDDR 偏置时 Launchpad 发出+10dBm 的功率。

    LaunchPad 原理图指定使用 VDDR 偏置和+10dBm 的特定组件值。 但是、我无法在该配置中购买 LaunchPad。 更改所有这些0201组件以在该配置中创建 LaunchPad 并不容易。 而且、很难"相信"这些值是正确的、尤其是因为在我们的电路板上、这些值会降低3dB (+7dBm)。

    因此、在我们的设计中、最简单的做法似乎是在 VDDS 上偏置并使用 Launchpad 中的+20dBm 组件值、然后将输出功率设置为+10dBm。 因为我们可以看到、这是有效的。 TI 建议不要这样做、一定有一些原因？

    此致、
    Andy

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    您好、Ryan、

    想知道您是否能够对此提供任何响应？

    谢谢、
    Andy

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    尊敬的 Andy：

    我们是否有机会审查过您的设计？

    谢谢、

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    是的。

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    我将在内部发送审阅文件。

    Darren

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    您好、Fi 和 Darren -您对此有什么更新吗？

    谢谢、
    Andy

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    您好、Ryan、

    现在、我将继续介绍如何在该器件上运行 Z-Stack。 我使用的是 SDK 6.4和 zc_SampleApp。 我在"RF Design"中选择了"LP_CC2651P3、10dBm"、但在"Z-Stack"中选择了"LP_CC2651P3、10dBm"选项(仅"LP_CC2651P3")、因此我会收到错误。  

    这是预期的吗？

    谢谢、
    Andy

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    尊敬的 Andy：

    这是预期 的结果、因为与 Prop 射频示例相比、Z-Stack 目前不支持"LP_CC2651P3, 10dBm"选项。  因此、您需要使用自定义 ti_radio_config.c/h 文件、并像我们之前讨论过的那样将这些文件排除在 SysConfig 中构建。

    此致、
    Ryan