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[参考译文] CC2592EMK-RD:CC2520+CC2592的 EVM 版

Guru**** 1740850 points
Other Parts Discussed in Thread: CC2520, CC2592, CC2530
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/zigbee-thread-group/zigbee-and-thread/f/zigbee-thread-forum/1228648/cc2592emk-rd-evm-issue-of-cc2520-cc2592

器件型号:CC2592EMK-RD
主题中讨论的其他器件:CC2520CC2592CC2530

你好

我们公司的一个产品使用 CC2520+CC2592方案实现 Zigbee 功能。 此产品已发布数年。 最近、 许多样片在生产测试中未通过 EVM 测试。

在查看其设计文件和 BOM 时、我发现我们的设计和 CC2592参考设计存在两个差异。 下图是 CC2592 SCH 的一部分。

   

差异:

1.电路板上未安装 C97 (1uF)和 C101 (1nF)。  

2.传输(从 CC2592输出到天线)阻抗约为42欧姆。

我对它有一些疑问。

问题:

1.如果这两个安装在板上的电容器会影响 EVM 性能吗?

2.如果不是50欧姆的传输线路阻抗会影响 EVM 性能?

3. CC2592 PA 是否具有最佳负载阻抗? 我在数据表上没有找到它。

谢谢。

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    您好!

    感谢您的咨询。 我找不到适合 CC2520 + CC2592对的参考设计、但我使用的是非常类似的参考设计(CC2530 + CC2592)

    考虑到这一点、我有几点评论:

    由于该问题在长时间的生产运行后开始出现、 假设装配期间使用的部件没有明显的参数变化、任何与我们参考的特定设计偏差似乎都不是导致这一问题的原因、无论是去耦电容器还是阻抗不匹配。 在您的特定用例中、我可能希望解决其他组装和制造方面的问题、例如组装材料(焊料成分、焊锡膏、PCB 铜密度等)甚至污染(湿度超出规格或处理不当)。

    回答您的问题:

    1) 1)去耦电容可以通过减少杂散或谐波或两者来对射频性能产生重大影响。 但是、根据您的描述、该问题最近才开始发生、因此在这种情况下、它们可能不是促成因素。  

    2)阻抗不匹配会影响性能、但您提到的42Ω 不是非常显著-当然不是这么多年之后会突然引起问题的因素。

    3) 3) CC2592的 PA 输出阻抗为50Ω Ω。

    仅供您参考、我正在与其他人讨论此问题、尝试调查当前场景的任何其他可能的根本原因。

    希望这对您有所帮助。

    Rafael

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    Rafael、您好!

    感谢您的答复。

    关于第三个答案、您意味着 PA 输出阻抗在内部匹配为50欧姆、对吧?  如果是、从下图中可以看到、CC2592输出上的这些元件不用于阻抗匹配、是吗?

    1. C101、C103、C105、L102、L103用于低通滤波器。

    2.L101用于 PA 电源和射频信号阻断。

    以及有关 CC2592输出功率的其他问题。

    1.为符合 FCC 限制、CC2592的最大建议输出功率是多少?

    2. 减少功耗对改善 EVM 是否有益?

    谢谢。

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    您好!

    PA 输出阻抗内部匹配50欧姆,对吗?

    可以。

    如果是这样,从下图看,CC2592输出上的这些组件不用于阻抗匹配,对吗?

    在 CC2592数据表第5节中、您分享的上图下方的表中包含构成此参考设计的所有无源器件的功能。 在本例中、您提到的器件执行天线匹配和 PA 偏置的功能。

    1. 为了符合 FCC 限制、CC2592的最大建议输出功率是多少?

    这一问题没有绝对的答案。 要符合 FCC 限制要求、需要在您自己的硬件上进行仿真和测试、无论是传导的还是辐照的。

    也就是说、CC2592数据表的表2.4包含了该器件的几个性能特征数据。 此表的"射频传输"部分包含具有通过 FCC 传导限制的传导测量值(包括输出功率)-但是、请记住、这些测试是在使用信号发生器而不是器件馈送 CC2592EM 参考设计时完成的。 如果对此设置存在任何偏差、则需要执行仿真和测试。 如 本文中所述、请参阅 CC2538-CC2592 EM 参考设计以了解详细信息。

    2.  降低功耗是否有利于改善 EVM?

    可能是、但必须使用您的系统获得可量化的性能特性。

    综上所述、除非在 BOM、制造(如前所述)或 CC2520电源输出配置方面存在显著差异、否则这些设计细节似乎与您在原帖中所述的生产问题无关、 因此、我将开始研究其中的任何变化。

    此致、

    Rafael

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    Rafael、您好!

    感谢您的答复。 我们通过使用不同的 CC2520 TX 功率设置完成了一些 EVM 测试。 我有几个要点要和你们讨论。 请参阅下表。 这些测试都是使用屏蔽室辐射测试方法完成的。 频率为2405MHz。

    1."无数据"表示频谱分析仪显示"载波锁定?" 无法获取 EVM 数据。

    2、关于 TX 功率、 TXPOWER 寄存器值 F7、F2、AB 的 TX 功率数据大于  TXPOWER 寄存器值 F9的 TX 功率数据。

    因此、当 CC2520 TXPOWER 寄存器值为0XF9时、其输出功率不太可能高于+5dBm。 我在数据表中没有找到寄存器值 F9。 您能帮助检查此寄存器值吗?

    3、 TXPOWER 寄存器值13的 TX 功率数据与  TXPOWER  寄存器值 F9的 TX 功率数据几乎相同。  因此、当 CC2520 TXPOWER 寄存器值为0XF9时、其输出功率可能为+1dBm。

    4.当 CC2520 TXPOWER 寄存器值为 13、32、81时、样本中具有更好的 EVM 数据。  

      CC2520 TXPOWER 寄存器 CC2520 TX 功率(dBm)   1. 2. 3.
    1. 0XF9 大于5 offsetEVM 4.819363. 3.135641. 4.082448
    Tx 功率 - 23.253. -14.207. -19.459.
    2. 0XF7 5. offsetEVM 无数据 无数据 无数据
    Tx 功率 -22.586 -13.658. -19.02.
    3. 0XF2 3. offsetEVM 23.431652. 9.334433. 无数据
    Tx 功率 22.506. -13.648. -18.837.
    4. 0Xab 2. offsetEVM 7.78446. 10.57768 无数据
    Tx 功率 -22.698 -13.765 -19.257.
    5. 0x13 1. offsetEVM 5.528691. 6.914721. 5.454413.
    Tx 功率 - 23.381. -14.375. -19.712.
    6. 0x32 0 offsetEVM 5.149186. 5.883844. 6.422539.
    Tx 功率 - 23.946. -14.913. -20.262.
    7. 0x81 -2. offsetEVM 5.452402 3.594562. 8.601568
    Tx 功率 -24.722. -15.776. -20.937.
    8. 0X88 -4. offsetEVM 7.541842. 5.047617. 26.565872.
    Tx 功率 -25.812 -16.87 22.137.
    9. 0x2C -7. offsetEVM 22.227558 19.194666 14.70832.
    Tx 功率 -29.929. -20.191. -25.727
    10. 0x3 -18. offsetEVM 无数据 12.912502. 32.634113
    Tx 功率 -44.105. -32.338. 这是一个很好的例子
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    您好!

    在这篇文章中有很多信息需要解析、因此我需要一些时间来解析所有这些信息并返回给您。

    一些评论:

    -我需要确认一些细节,但如果0xF9寄存器值未在数据表中指定,它可能会使无线电处于正常运行之外。 请保持在我们的数据表规格范围内。

    -运营商锁定警告可能是警告您输入功率过大,但我无法确定。 可能需要一个衰减器来使信号与频谱分析仪兼容。

    我会尽快回到你,我可以得到一些附加的信息。

    此致、

    Rafael

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    Rafael、您好!

    我想和你分享一点。

    我已向 Keysight 支持工程师确认  "载波锁?" 解调失败。 从上表可以看出、TX 功率小于-10dBm、看起来不像是过多的输入功率。  

    你方面有什么更新吗?

    谢谢。

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    Gavin、

    感谢您的确认。

    关于您的最后一点:

    当 CC2520 TXPOWER 寄存器值为 13、32、81时、样本具有更好的 EVM 数据。  [/报价]

    这是预料之中的、因为较低的输出电平接近本底噪声、而较高的电平可能具有较高的失真度。

    说了这话,仔细看了看你的桌子,我有几个问题:

    -如何精确测量 Tx 功率? 这个辐射是传导还是辐射? 具有"Tx 功率"的行显示的数字与 CC2592或 CC2520输出的预期数字大不相同。
    -测量是否在新生产运行的电路板中完成? 如果是、那么之前一个电路板中的测量值是多少?
    -到底是什么失败? 您是否希望在输入功率为5dBm 时 EVM 的效率低于35%?

    考虑到您最近面临的制造问题、所有这些细节可能并不重要-毕竟、您的设计在这之前似乎已经使用了多年、因此任何固有的设计问题都可以在之前得到证明。  

    此致、

    Rafael

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    Rafael、您好!

    我对您的问题的评论。

    1.本产品使用芯片天线。 我们将样本放在屏蔽室中、并使用辐射方法进行测试。 事实上、"TX 功率"是指芯片天线辐射功率的量度。

    2.我们不会针对新的生产运行做板测试 我们直接在屏蔽室中测试样本。

    3、我们可以接受低于35%的 EVM、输入功率较低、比如0dBm 输入功率。

    4.当 TXPOWER 寄存器为0XF9时、您可以帮助检查 CC2520的输出功率是多少吗?

    谢谢。