Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH, SYSCONFIG
使用的SysConfig空工程进行的测试,程序能正常烧录,但是烧录过程会跳过FLASH擦写过程,使用UniFlash烧录对应的.out文件也会跳过相关步骤。
芯片管脚情况如下
使用的是全jTAG连接,只有芯片的nRST没有与烧录器连接,nRST是一个4.7kOhm上拉+100nF电容组合,振荡器输入是一个有源晶振,使用仪器检查其正常工作,工作频率20MHz
使用的SysConfig空工程进行的测试,程序能正常烧录,但是烧录过程会跳过FLASH擦写过程,使用UniFlash烧录对应的.out文件也会跳过相关步骤。
芯片管脚情况如下
使用的是全jTAG连接,只有芯片的nRST没有与烧录器连接,nRST是一个4.7kOhm上拉+100nF电容组合,振荡器输入是一个有源晶振,使用仪器检查其正常工作,工作频率20MHz
你能详细说明一下你面临的问题吗?我假设在闪存设置中选中了复选框“擦除和编程”,但您没有看到闪存在编程之前被擦除。是这样吗?
在编程之前,你如何检查闪存是否被擦除?
此外,E2E线程的标题指出,“新编写的程序……不能刻录到核心FLASH中”,但在您的描述中,您提到该程序确实可以正常编程到FLASH中。
看到闪存被编程为正确的内容有什么问题吗?