cmd及存储

我的回答如下：

1. 没听过，你是在哪里看到的。

2. 我理解的应该只是汇编代码里面寻址指令的区别，用C语言的话，我认为没什么区别。L0~L3只是双地址映射而已，选择一个地址用即可。至于为何要搞成双映射，有可能是方便兼容以前老的芯片。

3. 代码可以放在L4~L7. 不过一般代码是放在flash，如果你有些函数想运行在RAM，需要复制一下。

4. code_start.asm 里面有个跳转指令，跳转到_c_int00，在这个函数里面就会执行这个copy工作，然后会再跳转到main.

5. 你说的对，所以最新的CMD都是用ebss.

Eric

第一个问题是在

http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3031541.HTM

里面关于.ebss介绍的时候写的。

另外追加一个问题：

现在调试是高压的，所以JTAG就没有方法使用了。目前是自己写了一个Bootloader，固化在flash一个区域，用can通信，通过Bootloader将应用程序下载到flash中，然后运行。

但是在调试期间，这里会存在反复的擦除flash。自己有个想法，就是通过Bootloader，将应用程序下载到外部ram，发现运行不了。

对于不能运行，我的理解是，虽然在Bootloader中配置了外部ram，在应用程序下载完成之后，PC指针也能够跳转到外部ram的指定位置，但是在运行应用程序的时候，跳转到_c_int00之后，main之前，又将系统初始化，而系统配置的是从flash启动，所以无法在外部ram中运行了。

不知道我这样的理解对不？谢谢！

首先，为什么调试高压，JTAG就用不了？我经常用JTAG口调试高压板。不要炸机就好了。要是怕炸坏电脑，在JTAG口那儿加个隔离，很多这种工具的啊。

其次， 你要写bootloader， 是用来升级代码还是用来烧写裸片？建议可以借鉴一下TI最新发布的通过串口烧写或升级的例程，自己消化一下。

C:\ti\controlSUITE\device_support\f2803x\v130\DSP2803x_examples_ccsv5\f2803x_flash_kernel

Eric