调试F28M35碰到的问题

楼主你好，

请问仿真时，程序是跑在FLASH还是RAM？

有没有使用MEMCOPY和Initflash函数？

如果方便的话，可以将你的项目以附件的形式贴上来看一下！

up

请把CCS中的GEL文件去掉再试。

工程里没有GEL文件。

GEL文件不在工程中，调试的时候CCS-->Tools-->Gel Files.

调试的时候去掉Gel Files了还是不行。

是这样子的，我M3工程调试好了就在系统初始化后面加了个IPCMtoCBootControlSystem让C28从FLASH启动，接着就烧例程blinky_c28，通过示波器看GPIO70就知道C28是否跑起来。

您的问题是“帮我分析下怎么跑的周期都不一样？”

仿真运行和实际运行是不应该有区别的。能够影响仿真的，只有GEL文件，因为GEL文件可以修改芯片的寄存器。

如果去掉了GEL文件还有问题，那我猜测原因如下：

仿真的时候：烧写芯片-->运行了FLASH API-->Flash API修改了相关的FLASH控制寄存器，比如M3侧的FRDCNTL寄存器-->没有复位芯片直接RUN-->FRDCNTL寄存器的值没有修改  

另一种情况：芯片上电复位-->FRDCNTL寄存器复位到默认值-->程序在FLASH中运行速度受寄存器配置影响有不同，真实结果，以复位芯片后的运行结果为准

FRDCNTL这个寄存器我修改了周期还是不对，现在情况是：芯片上电复位后M3与C28都运行对，但是仿真M3时C28没跑，仿真C28的时M3的周期增加一倍。

Flash Read Interface Control Register (FRD_INTF_CTRL)

这个寄存器程序中设置值=1后仿真时显示还是=0，手动改写值也不行，为啥

抱歉回复迟了。

这个寄存器受MWRALLOW保护，在程序中修改需要先    HWREG(SYSCTL_MWRALLOW) =  0xA5A5A5A5;

但是通过JTAG是能够正常修改的，请再试一次。

能够影响到芯片运行的，只有芯片本身的寄存器，楼主可以比对一下运行速度不同时候，FLASH和系统时钟相关寄存器的设置。