运行环节为CCS6.1，用F28335进行烧写时，观察On-Chip Flash界面，默认的频率设置为30MHz，10倍频，2分频，即烧写阶段频率为150MHz，与该芯片的运行主频率相同。
在F28M36烧写设置中，发现On-Chip Flash界面中，默认的M核和C核默认烧写设置频率都为20MHz，2分频，12倍频，即烧写阶段频率为120MHz。
当前芯片内部采用的运行主频为M核75MHz、C核150MHz。
这里的问题是：
1、烧写阶段的频率是否需要和芯片设置的运行主频率保持一致。如果不保持一致，是否会有其他影响。（之前遇到过概率性的C核烧写锁死的问题，原来怀疑电源，更换电源后再次概率性出现，烧写频率与芯片设置运行频率不一致是否存在概率性的引起芯片锁死的可能）
2、后续的烧写设置中，该双核芯片是采用默认的20MHz，2分频，12倍频（对应120MHz）的配置，是采用默认配置，还是M核和C核分别设置为各自的主运行频率，推荐采用哪种方案。
烦请有相关经验的同事不吝赐教，谢谢！
