F28M35H52C: f021 flash擦除问题

你好，工程师将在工作时间为你解答。

您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛，如有答复将尽快回复您。谢谢！

anvaya 说：

然后在CCS 6.2 DEBUG界面下用reset和restart按钮进行复位，重复下载重新烧写功能失败，打断点发现Fapi_issueAsyncCommandWithAddress运行返回成功，但是对应的区域并未擦除成功。

您好，重复下载和重新烧写过程是什么？ F28M35H52C 器件是运行引导加载程序，还是通过 xds560v2 仿真器接口完成所有操作？

anvaya 说：

下载程序后直接断电拔仿真器运行，芯片也是擦除失败。怀疑也是Fapi_issueAsyncCommandWithAddress执行问题。

同时能否请您再解释一下这个过程？什么是断电拔仿真器运行？

重复下载烧写就是说，在完成第一次烧写后，不移除仿真器，直接用CCS debug界面上的reset和restart按钮进行复位，再次通过网络下载固件，烧写。

断电拔仿真器就是说，我把电路板用仿真器烧好程序后，脱离仿真器运行。再进行网络下载固件，烧写的步骤

再提供个线索，在运行Fapi_issueAsyncCommandWithAddress（）失败后，检查了一下FSM_STAT寄存器，发现报错，报的是SLOCK error，大概意思就是sector锁定或是OTP锁定。那么问题来了，怎么解锁呢？文档上好像没有提及锁定的事

好的感谢您提供的信息，预计1-2天内给到您答复。

您好，您参考下以下FAQ：3. What are the common debug tips that we can consider when Flash API fails to erase or program?" 

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/951668/faq-faq-on-flash-api-usage-for-c2000-devices 

请问您是怎样调用擦除功能的？

我参考了flash_programming_m3工程的写法，用Example_CallFlashAPI()的流程来执行擦除操作，擦除代码、FLASH的lib文件都指定到ram里并检查了map文件确保没有遗漏。网络下载的固件被保存在shared ram里。

跳过前面的设置阶段，擦除部分代码如下

for(i=0;i<14;1++)   //14个sector,逐个擦除

{

oReturnCheck = Fapi_issueAsyncCommandWithAddress(Fapi_EraseSector,
(uint32 *)&Bzero_SectorL_start_addr[i]);

// Wait until FSM is done with erase sector operation
while (Fapi_checkFsmForReady() != Fapi_Status_FsmReady){}

if(oReturnCheck != Fapi_Status_Success)
{
while(1){}
}

///////////////test
oFlashStatus = Fapi_getFsmStatus();
if(oFlashStatus != 0)
{
while(1){}
}

////////////////test

oReturnCheck = Fapi_doBlankCheck((uint32 *)Bzero_SectorL_start,
Bzero_16KSector_u32length,
&oFlashStatusWord);
if(oReturnCheck != Fapi_Status_Success)
{
 whiel(1){}         //////////////////////擦除失败时跳到这里，然后添加了test程序段检查FSMSTAT寄存器，发现sector被锁，故障代码是0x0011(17)
}

}

whiel(1){}         //////////////////////擦除成功时跳到这里

看了FAQ，我对照了一下例程，发现例程里没有

d. Initialize Flash wait-states, fall back power mode, performance features and ECC

f.  EALLOW (C28x) or MWRALLOW (ARM) should be executed before calling Flash API functions to allow writes to protected registers.

有没有影响？

抱歉回复晚了。

在使用闪存 API 之前，必须包括闪存初始化例程 (用于wait-state配置) 和 EALLOW (C28x) 或 MWRALLOW (ARM)。 您试下实施这些。

闪存如何初始化？请给个实例。MWRALLOW (ARM)我只是在Example_CallFlashAPI()中没找到，是不是封装在Flash API functions里面了。

因为我的程序在某些条件下也是能运行成功的，是不是可以不用考虑这些地方

我主要是怀疑sector的擦写在特定条件下被锁了，有没有解锁方法?

再帮您跟进给工程师问下哈，有新的进展会尽快给到您。

您好，关于锁，发生故障时，在内存窗口中的值是多少？请您确认下。

以及有没有对任何密码进行编程？

请参阅以下代码中的 MWRALLOW ： \controlSUITE\device_support\f28m35x\v220\F28M35x_examples_Dual\flash_prog\m3\flash_programming_m3.c

在同一文件中，您可以看到闪存初始化函数调用，如下所示：

没有对密码区编程，内存窗口中值没变化，因为擦除失败了，凡是例程中有的操作都被保留下来了

好的感谢您提供的信息，已经跟进给工程师了，有答复会尽快给到您哈。

您好，请问在进行了 MWRALLOW 和闪存初始化后，问题仍然存在是吗？

是的

好的收到，再帮您问下哈。