生成SPWM代码，仿真ok，烧写到FLASH后频率变低了

huaiji,

仿真跟Flash运行的区别主要是一个是跑在RAM，一个是跑在flash上，代码如果跑在flash上，运行速度会变慢。

建议：

1，正确初始化flash，参考http://www.ti.com/mcu/docs/mcuorphan.tsp?contentId=67005 中F281x C/C++ Header Files and Peripheral Examples flash例程代码。

2. 把相关算法放到flash中运行。

Eric

Eric 老师您好！ 我的开发板没有外扩FLASH,而是烧写在DSP2812自带的FLASH中，也是这个样子么？

                             还有就是同一个程序中CPUtimer中断时5ms，仿真与烧写后结果一样的，可是为啥定时器1中断仿真与烧写运行速度就不一样呢，难道说是速度快的原因么？您说的代码运行在FLASH上会变慢，可是我在示波器观察定时器1下溢中断没有变慢，我进行SPWM计算用到的i_temp++代码，当i_temp>200，就清零，这样200*0.1ms=20ms，正好是50hz的频率，每次进入定时器1下溢中断，i_temp加1，我理解是，如果定时器1下溢中断是好的，每个中断周期i_temp加1，那么最后频率就应该是50hz的啊，实际上烧写后不是50hz，那么就是i_temp加1到200后没停止，而是到了一个更大的数，比如512才清零。。。。到这里我就想不清了。。。。附件是我的工程代码，如果您有时间方便的话，麻烦指点迷津！谢谢！

    这个代码里面的初始化FLASH的代码是我晚上才加的，编译通过了，仿真运行也没问题，下载后，原来好使用的串口也不工作了。下载过程中有个提示，我截了图，也发过来跟您参考。我理解好像还得写个内存拷贝的函数什么的。

谢谢您了！