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Original question:

TMS320F2812: initFlash函数修改问题

TMS320F2812: initflash修改

wcl chunlei
Prodigy 30 points
Part Number: TMS320F2812

TI工程师：

您好，感谢回复。

我的程序中使用的f2812_nonBIOS_flash.cmd，并且上电后flash程序复制到ram中运行，

memcpy( &secureRamFuncs_runstart,
&secureRamFuncs_loadstart,
&secureRamFuncs_loadend - &secureRamFuncs_loadstart);

这种情况下修改

SysCtrl.c文件中InitFlash函数：

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 5;       

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 5;  

改为：

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 15;     

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 15;      

对程序运行还有任何影响吗？

  • 0
    TI__Mastermind 39885 points

    你好，根据相关文件中的描述，这两个位的定义是在执行随机读取和页读取前的等待时钟次数，这也是它们会造成影响的地方。

  • 0 回复 Ben Qin
    Prodigy 30 points

    TI工程师：

    您好，感谢回复。

    我的程序结构是这样：

    main（）

    {

    。。。。。。

    memcpy( &secureRamFuncs_runstart,
    &secureRamFuncs_loadstart,
    &secureRamFuncs_loadend - &secureRamFuncs_loadstart);

    InitFlash（）；

    。。。。。。

    while（1）

    {

    .。。。。。

    }

    }

    flash存储器存放执行的程序，程序上电初始化flash程序复制到ram中运行，程序运行后是从ram中读取，这种情况下flash读取等待时间这种参数对程序有影响吗？

  • +1 回复 wcl chunlei
    TI__Mastermind 39885 points

    不会。只有在读取FLASH时会有影响。但你后续的程序都是从ram中读取，所以没有影响。

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