Part Number: TMS320F280039C
项目控制板采用两片280039C，上电后从FLASH中进行引导(GPIO24、32为高电平)，实验中十次大概会出现1次上电引导失败的情况(从GPIO输出口对应的Debug灯状态可以看出非bootloader或app运行状态)。
初步判断为：芯片ROM BOOT没有启动或者启动失败，还没有进入到用户bootloader环节，应该是上电时序或者硬件Boot引脚配置问题。
参照芯片规格书与硬件设计原理图，采用内部VREG，电容的选型也满足规格书要求：
图1：原理图中的MCU部分
测试了VDDIO的电压压摆率，发现不符合最低压摆率的要求
图2：电源管理模块引脚测试波形
想问一下:
1、内部VREG模式下VDD上升压摆率过低会有什么问题？
2、如果不是这个问题的话还有哪些可能
3、如果是的话，在不改动电源特性的情况下有什么补救措施吗？
1. zhcslt8b_TMS320F28003x 实时微控制器 datasheet (Rev. B) 第78页 6.12.1.4.3.4 电源压摆率：
2. 应该就是这个问题。
并且在上述链接中，也有说“有出现偶尔程序引导不进去的情况(尤其板子放置一段时间的情况)”，通俗来说就是去耦电容太大导致充电时间太长。
看起来使用的是内部VREG来生成1.2V VDD。
测得的SRVDDIO-UP=0.1456mV/us远小于datasheet中提供的SRVDDIO-UPmin=8mV/us，试着把C608、C609适当调小一些或者去掉。可以参考一下第75页的6.12.1.3.1 去耦电容器。
对于所有电源引脚（VDDIO、VDDA、VDD），去耦电容的配置都有两个选项，可以分别为每个引脚单独放置，或将所有引脚连接起来后、统一放置。数据手册中对于VDDIO给出的是前者的数据，而对于VDD给出的是后者的数据。
看起来你应该是把这两种方式都做了，所以导致去耦电容值有些太大。
3. 看一下问题1中的第二个备注。相对来说还是改电容值比较容易实现。
Hi，Yale:
感谢你的回复！
1、针对问题1，我的表述可能不太清晰，实际上就是想问一下手册里的"XRSn 可能会切换几次"会导致什么问题吗？
今天测试中发现压摆率低的情况下XRSn引脚有出现锯齿波一样的切换过程，猜测是VDDIO电压波动到了欠压复位的跳闸点以下，
但是这种情况下也是引导成功了的，今天在单板上重复上电100余次皆未复现(之前测的图2也是引导成功了的)，没能抓到引导失败的波形就不太好确定原因
图3 上电引导成功波形
2、对于问题2你给出的建议，之前确实没有注意到，可能是由280049换用280039C时保留了之前电容配置。
我们这边按照建议更改，测试后再来回复结果
Best Regards,
Liu Hongxu
实际上就是想问一下手册里的"XRSn 可能会切换几次"会导致什么问题吗？
不会的；
今天测试中发现压摆率低的情况下XRSn引脚有出现锯齿波一样的切换过程，猜测是VDDIO电压波动到了欠压复位的跳闸点以下，
但是这种情况下也是引导成功了的，
是的，这个现象和datasheet上描述的就是一致的；并且从新的波形来看，就是VDDIO的压摆率不足导致的。在光标A处，VDD也稳定的建立。
