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28335外扩RAM读写速度比较慢的问题

will luo
Prodigy 20 points


      我用28335平台外扩IS61LV51216，用于对AD值进行频谱的分析和计算，AD值采样值保存在外扩RAM，发现程序频谱的分析和计算耗费时间很长，不能满足要求，调小xintf读写周期和flash读写周期，就得不到正确的值。简单的测试下外扩RAM的运行频率，大约在25M（设置XTIMCLK=150M，XRDLEAD=1，XRDACTIVE=1，XRDTRAIL=0）。请问有什么方法能解决计算时间过长的问题？如果我需要更换DSP平台，有什么能够推荐的，我需要的DSP内部RAM要大于 50K*16。