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RM48L930芯片的内部仿真EEPRAM与FLASH相比到底有什么优点?

在开发中发现,这个仿真EEPRAM的操作基本跟内部FLASH一样,包括写入前要按照擦除,可以按照字节读取等等,那么请问:这个EEPROM和内部flash的区别主要在哪儿?

  • 还有一个问题:bank7(eepram)在整块擦除以后,有零散的bit位没有被置1。  这个概率还不低,大概64Byte里面就能有一个。请问下这个是什么情况,擦除函数返回的是成功,应该所有的全是0xFFc才对啊?

  • EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。