在使用MemCopy命令对外挂SDRAM（容量128MB）进行访问时出现错误，通过时序抓取发现操作时发生了Burst执行被打断，如通过MemSet将4个字节进行清零后用Memcopy写入值这一操作，在MemSet未执行完就进行了写操作，仅将第一个字节写入后又回来执行MemSet，执行完成后再次通过MemCopy进行写入，在MemSet第一次被打断时地址就发生了紊乱，结果表现为将后三个字节的内容写入了前三个字节的地址中，整个软件应用中未开启中断，在MemSet和MemCopy指令之间插入其他无效代码（如延时）后会影响结果，例如延时1ms就不出现此故障。将EMIF总线频率从110MHz降到55MHz，故障现象依旧，降到44MHz后故障不在此处出现，为了验证是否故障已得到解决，对所有地址进行写入后再读出比较，发现总线控制器仍会在其他地方出现紊乱，例如从地址0x4FC跳过0x4FE直接操作0x500地址等故障现象，降频至36MHz后为再出现上述故障现象。现有两个疑问：1、出现此故障的原因是什么（硬件设计时已充分考虑了阻抗匹配、等长匹配等信号完整性设计，且总线控制器紊乱并非在某次操作仅某一位地址线状态翻转）？；2、在技术文档“ZHCS441B”第93页中定义tc（clk）最低18ns，而文档“SPNU503B”第609页中进行SDRAM的RR时间计算时以100MHz在进行举例，对外挂SDRAM进行操作时EMIF时钟最大应为多少？
